公开(公告)号：CN101855704B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880115930.4

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

公开(公告)号：CN101874289B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200880117656.4

申请日：2008-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  中川和男

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置的制造方法是制造包括具有薄膜晶体管的薄膜器件部和设置在薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部的半导体装置的方法，包括：准备基板的第一步骤、在基板上直接贴合周围器件部的第二步骤以及在已贴合了周围器件部的基板上形成薄膜器件部的第三步骤。

公开(公告)号：CN101874289A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117656.4

申请日：2008-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  中川和男

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置的制造方法是制造包括具有薄膜晶体管的薄膜器件部和设置在薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部的半导体装置的方法，包括：准备基板的第一步骤、在基板上直接贴合周围器件部的第二步骤以及在已贴合了周围器件部的基板上形成薄膜器件部的第三步骤。

公开(公告)号：CN101868858A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117233.2

申请日：2008-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松本晋 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，该半导体装置在同一个面内设置有多个可控制阈值的MOS晶体管并且能够容易地制作。本发明的半导体装置在同一个面内设置有多个MOS晶体管，该多个MOS晶体管分别具有半导体活性层、栅极绝缘膜和栅极电极的叠层结构，上述半导体装置具有：叠层在上述半导体活性层的与上述栅极电极相反的一侧的绝缘层；和叠层在上述绝缘层的与上述半导体活性层相反的一侧，并且以跨越上述多个MOS晶体管中的至少两个MOS晶体管配置的导电性电极。

公开(公告)号：CN101855703B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。

公开(公告)号：CN101878534A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880117043.0

申请日：2008-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  多田宪史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和显示装置。该半导体装置(10)通过由剥离层剥离一部分而形成的包含CMOS晶体管(3)的半导体基板(1)与玻璃基板(2)相互贴合而构成。与NMOS晶体管(3n)的沟道区域(35n)同一导电型的P型、并且比沟道区域(35n)高浓度的p型高浓度杂质区域(39n)，与沟道区域(35n)电连接而形成，以使得沟道区域(35n)的电位被固定。与PMOS晶体管(3p)的沟道区域(35p)同一导电型的N型、并且比沟道区域(35p)高浓度的N型高浓度杂质区域(39p)，与沟道区域(35p)电连接而形成，以使得沟道区域(35p)的电位被固定。由此，提供一种通过抑制薄膜晶体管的特性变动能够实现高性能化的半导体装置和包括该半导体装置的显示装置。

公开(公告)号：CN101855703A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。

公开(公告)号：CN101689479B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880021899.8

申请日：2008-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  斯蒂文·道罗斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

公开(公告)号：CN101971306A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108572.9

申请日：2009-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  多田宪史 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，所述半导体装置可以提高在被薄膜化的基体层中所形成的、且被接合到其它基板上的PMOS晶体管的亚阈特性。本发明的半导体装置是具备基板和器件部的半导体装置，所述器件部被接合到上述基板，上述器件部包含基体层和PMOS晶体管，上述PMOS晶体管包含第一电传导路径和第一栅极电极，上述第一电传导路径形成在上述基体层的配置有上述第一栅极电极的一侧。

公开(公告)号：CN101884096A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。