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公开(公告)号：CN105637459A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056683.0
申请日：2014-08-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0416 , G06F3/0418 , G06F2203/04104 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明的实施方式的触摸面板具有：透明基板(101)；第1导电层(12)，其被透明基板支撑，包含在第1方向上延伸的多个检测电极(12S)；以及第2导电层(14)，其包含与多个检测电极绝缘的、在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多个驱动电极(14D)，多个检测电极和多个驱动电极划定包括排列成矩阵状的多个传感器部(10S)的传感器阵列区域(10A)，第1导电层在传感器阵列区域内还包含与第1方向大致平行地延伸的多个引出配线(12Dt)，每个驱动电极与多个引出配线中的至少1个引出配线连接，多个检测电极的端子和多个引出配线的端子均设置在透明基板的与第2方向大致平行地延伸的同一边的附近。
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公开(公告)号：CN101868858A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117233.2
申请日：2008-10-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/124 , H01L29/78 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，该半导体装置在同一个面内设置有多个可控制阈值的MOS晶体管并且能够容易地制作。本发明的半导体装置在同一个面内设置有多个MOS晶体管，该多个MOS晶体管分别具有半导体活性层、栅极绝缘膜和栅极电极的叠层结构，上述半导体装置具有：叠层在上述半导体活性层的与上述栅极电极相反的一侧的绝缘层；和叠层在上述绝缘层的与上述半导体活性层相反的一侧，并且以跨越上述多个MOS晶体管中的至少两个MOS晶体管配置的导电性电极。
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公开(公告)号：CN109952553B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201780037460.3
申请日：2017-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供同时检测导电体的位置和由上述导电体施加的压力的内置压力传感器的静电容式触摸面板。触摸面板(1)具备：多个传感电极(2)，所述多个传感电极(2)为了基于静电容检测触摸位置而沿第一方向延伸；和压力检测电极(4)，其在多个传感电极(2)之间以比传感电极(2)小的宽度沿第一方向延伸，电阻值根据压力的施加而变化。
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公开(公告)号：CN107003767A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064327.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/0418 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/133707 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F3/047 , G06F2203/04102
Abstract: 本发明的触摸面板图案TPP具备：多个检测电极(38)，其沿着第一方向延伸，并且沿着与第一方向正交的第二方向并排配置；多个驱动电极(39)，其以相对于多个检测电极(38)俯视时分别重叠的方式，沿着第二方向延伸，并且沿着第一方向并排配置，与检测电极(38)之间形成静电电容；多个浮置电极(45)，其以相对于多个检测电极(38)俯视时分别相邻的方式配置，并且以相对于多个驱动电极(39)俯视时重叠的方式配置，在与相邻检测电极(38)之间和、在于重叠的驱动电极(39)之间分别形成静电电容；宽度宽检测电极(49)，其包含于多个检测电极(38)，在第二方向上位于最端部，并且其宽度宽于中央侧的检测电极(38)。
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公开(公告)号：CN102687269A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059548.3
申请日：2010-12-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , C09J7/387 , G02F1/13454 , H01L25/0655 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(130)，其具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90a)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，最靠被接合基板(100)侧的基底层(54)具有电路图案被引出到薄膜元件(80)侧而形成的延设部(E)，在薄膜元件(80)与半导体元件(90a)之间设有树脂层(120)，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)、延设部(E)以及各电路图案而相互连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101878534B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880117043.0
申请日：2008-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和显示装置。该半导体装置(10)通过由剥离层剥离一部分而形成的包含CMOS晶体管(3)的半导体基板(1)与玻璃基板(2)相互贴合而构成。与NMOS晶体管(3n)的沟道区域(35n)同一导电型的P型、并且比沟道区域(35n)高浓度的p型高浓度杂质区域(39n)，与沟道区域(35n)电连接而形成，以使得沟道区域(35n)的电位被固定。与PMOS晶体管(3p)的沟道区域(35p)同一导电型的N型、并且比沟道区域(35p)高浓度的N型高浓度杂质区域(39p)，与沟道区域(35p)电连接而形成，以使得沟道区域(35p)的电位被固定。由此，提供一种通过抑制薄膜晶体管的特性变动能够实现高性能化的半导体装置和包括该半导体装置的显示装置。
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公开(公告)号：CN102473643A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029882.4
申请日：2010-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 多田宪史
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F2001/133357 , H01L27/1218 , H01L29/78633
Abstract: 在第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜等。之后，在相邻的遮光膜等彼此之间的第2绝缘膜的表面形成离第1绝缘膜的表面的高度与遮光膜等上的第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案。接着，在第2绝缘膜的表面形成覆盖伪图案并且具有平坦表面的第3绝缘膜。之后，将基体层以第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上。这样制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN102265380A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152604.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：被接合基板(10a)；和与被接合基板(10a)接合且形成有元件图案(T)的半导体元件部(25aa)，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)的接合界面，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)中的至少一个形成有凹部(23a)。
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公开(公告)号：CN105637459B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201480056683.0
申请日：2014-08-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的实施方式的触摸面板具有：透明基板(101)；第1导电层(12)，其被透明基板支撑，包含在第1方向上延伸的多个检测电极(12S)；以及第2导电层(14)，其包含与多个检测电极绝缘的、在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多个驱动电极(14D)，多个检测电极和多个驱动电极划定包括排列成矩阵状的多个传感器部(10S)的传感器阵列区域(10A)，第1导电层在传感器阵列区域内还包含与第1方向大致平行地延伸的多个引出配线(12Dt)，每个驱动电极与多个引出配线中的至少1个引出配线连接，多个检测电极的端子和多个引出配线的端子均设置在透明基板的与第2方向大致平行地延伸的同一边的附近。
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公开(公告)号：CN107636581A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033104.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G06F3/044
Abstract: 触摸面板图案TPP，具备：多个检测电极38；多个驱动电极39；多个浮置电极45；基准宽度浮置电极48，包含于多个浮置电极45中；最小宽度浮置电极49，包含于多个浮置电极45中，且于第二方向上配置于最端侧，其宽度FW1最狭窄；以及，中间宽度浮置电极50，包含于多个浮置电极45中，且于第二方向上配置于较基准宽度浮置电极48更端侧、较最小宽度浮置电极49更中央侧，其宽度FW2窄于基准宽度浮置电极48，宽于最小宽度浮置电极49。
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