公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN105308499B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480034038.9

申请日：2014-02-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 深谷哲生 ,  清水雅宏 ,  佐佐木太一 ,  近藤雅稔

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337

Abstract: 在液晶显示装置(100)中，第一基板(10)从液晶层一侧起依次具有第一取向膜(25)、第一电极(24)、电介质层(23)和第二电极(22)，第一电极和第二电极中的一个具有相互平行的多个直线部分(24s)，第二基板(30)从液晶层一侧起依次具有第二取向膜(35)和具有开口部(32a)的遮光层(32)，液晶层(42)包含介电各向异性为负的向列型液晶材料，液晶材料中包含的液晶分子因第一取向膜和第二取向膜而大致水平地取向，遮光层(32)的开口部(32a)具有与多个直线部分(24s)平行且限定开口部的宽度的2条边，设从开口部(32a)的2条边到多个直线部分(24s)中的最近的直线部分的距离为D1和D2时，(D1+D2)/2为1.0μm以上且小于3.0μm。

公开(公告)号：CN105209970B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201480026877.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西原雄祐 ,  津田和彦 ,  深谷哲生 ,  藤本英树 ,  桥本义人 ,  清水雅宏

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3614 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/028 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种液晶显示装置(100)，具备配置成矩阵状的多个像素(Px)，多个像素(Px)各自具有用于产生横电场的第1电极和第2电极(18)、(19)，在沿着行方向和列方向中的任意一方向排成一列的第1像素组(Pc1)中，像素是1对1对地排列着，1对像素包括第1电极和第2电极中的至少一方的电极结构相互不同的2个相邻像素(Pa)、(Pb)，对1对像素所含的2个相邻像素(Pa)、(Pb)施加相同极性的电压，且对第1像素组中相邻的2对像素(PP1)、(PP2)施加相互不同的极性的电压。

公开(公告)号：CN102939658B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN102812555A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180013422.7

申请日：2011-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 深谷哲生

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置（100）具备：基板（1）；设置于基板上的栅极电极（11）；形成于栅极电极上的栅极绝缘层（12）；氧化物半导体层（13），其形成在栅极绝缘层上，具有沟道区域（13c）和分别位于沟道区域的两侧的源极区域（13s）和漏极区域（13d）；与源极区域电连接的源极电极（14）；与漏极区域电连接的漏极电极（15）；和金属化合物层（16），其位于源极电极与漏极电极之间，与氧化物半导体层接触地设置于氧化物半导体层上。金属化合物层是由与源极电极和漏极电极所包含的金属元素中的至少一种相同的金属元素的化合物形成的绝缘体层或半导体层。

公开(公告)号：CN110346986A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910260357.6

申请日：2019-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 品田庆 ,  松下友久 ,  清水雅宏 ,  深谷哲生 ,  佐佐木太一

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明提供闪烁及最佳Vcom的偏移得到抑制的FFS模式的液晶显示装置。液晶显示装置(100)具有有源矩阵基板(10)、对置基板(20)及液晶层(30)。有源矩阵基板具有规定初始取向方位的取向膜(13)和生成边缘电场的第一电极(11)及第二电极(12)。对置基板具有透明基板(20a)和设在透明基板的液晶层侧的第三电极(21)。第一电极是像素电极，第二电极是共用电极。对第三电极施加与共用电极上所施加的共用电压Vcom不同的直流电压Vd。

公开(公告)号：CN105308499A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480034038.9

申请日：2014-02-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 深谷哲生 ,  清水雅宏 ,  佐佐木太一 ,  近藤雅稔

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337

Abstract: 在液晶显示装置(100)中，第一基板(10)从液晶层一侧起依次具有第一取向膜(25)、第一电极(24)、电介质层(23)和第二电极(22)，第一电极和第二电极中的一个具有相互平行的多个直线部分(24s)，第二基板(30)从液晶层一侧起依次具有第二取向膜(35)和具有开口部(32a)的遮光层(32)，液晶层(42)包含介电各向异性为负的向列型液晶材料，液晶材料中包含的液晶分子因第一取向膜和第二取向膜而大致水平地取向，遮光层(32)的开口部(32a)具有与多个直线部分(24s)平行且限定开口部的宽度的2条边，设从开口部(32a)的2条边到多个直线部分(24s)中的最近的直线部分的距离为D1和D2时，(D1+D2)/2为1.0μm以上且小于3.0μm。

公开(公告)号：CN105209970A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480026877.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西原雄祐 ,  津田和彦 ,  深谷哲生 ,  藤本英树 ,  桥本义人 ,  清水雅宏

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3614 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/028 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种液晶显示装置(100)，具备配置成矩阵状的多个像素(Px)，多个像素(Px)各自具有用于产生横电场的第1电极和第2电极(18)、(19)，在沿着行方向和列方向中的任意一方向排成一列的第1像素组(Pc1)中，像素是1对1对地排列着，1对像素包括第1电极和第2电极中的至少一方的电极结构相互不同的2个相邻像素(Pa)、(Pb)，对1对像素所含的2个相邻像素(Pa)、(Pb)施加相同极性的电压，且对第1像素组中相邻的2对像素(PP1)、(PP2)施加相互不同的极性的电压。

公开(公告)号：CN102812555B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180013422.7

申请日：2011-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 深谷哲生

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置（100）具备：基板（1）；设置于基板上的栅极电极（11）；形成于栅极电极上的栅极绝缘层（12）；氧化物半导体层（13），其形成在栅极绝缘层上，具有沟道区域（13c）和分别位于沟道区域的两侧的源极区域（13s）和漏极区域（13d）；与源极区域电连接的源极电极（14）；与漏极区域电连接的漏极电极（15）；和金属化合物层（16），其位于源极电极与漏极电极之间，与氧化物半导体层接触地设置于氧化物半导体层上。金属化合物层是由与源极电极和漏极电极所包含的金属元素中的至少一种相同的金属元素的化合物形成的绝缘体层或半导体层。