公开(公告)号：CN1305115C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02144250.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张肇荣 ,  陈炳旭 ,  彭进兴 ,  罗冠腾 ,  鲁建国 ,  黄见翎

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

Abstract: 一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回路控制法或开回路控制法，使所述输送装置准确地控制研浆的流量输出。

公开(公告)号：CN1263106C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02160278.6

申请日：2002-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/4763

Abstract: 本发明是关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的系统与工艺流程，特别是有关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的超临界二氧化碳系统与工艺流程，依据本发明的系统包括：超临界二氧化碳装置以形成超临界二氧化碳流体；反应前处理装置用以添加助溶剂及用以提升该超临界二氧化碳流体温度；反应腔体于与预定温度及预定压力下提供半导体晶圆与超临界化二氧化碳流体反应；终点探测器与该反应腔体连接以探测半导体晶圆的反应终点；以及回收装置以收集来自该终点探测器及该超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN1217379C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层，其中该蚀刻液蚀刻该绝缘层的速率较该遮蔽层快。

公开(公告)号：CN1514474A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02160278.6

申请日：2002-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/4763

Abstract: 本发明是关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的系统与工艺流程，特别是有关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的超临界二氧化碳系统与工艺流程，依据本发明的系统包括：超临界二氧化碳装置以形成超临界二氧化碳流体；反应前处理装置用以添加助溶剂及用以提升该超临界二氧化碳流体温度；反应腔体于与预定温度及预定压力下提供半导体晶圆与超临界化二氧化碳流体反应；终点探测器与该反应腔体连接以探测半导体晶圆的反应终点；以及回收装置以收集来自该终点探测器及该超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN1476045A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层。

公开(公告)号：CN2701069Y

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200420050779.X

申请日：2004-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型提供了一种可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统，其包括：超临界二氧化碳装置，提供超临界二氧化碳流体；反应前处理装置，添加助溶剂于所述超临界二氧化碳流体中及用以提升添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度；反应腔体，提供一半导体晶片与添加有助溶剂并已提升温度的超临界化二氧化碳流体反应的空间，用以去除半导体晶片表面铜氧化物及水气。终点侦测器，与所述反应腔体连接以侦测半导体晶片的反应终点；以及回收装置，收集来自终点侦测器及超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN2756337Y

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200420104898.9

申请日：2004-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: B08B3/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型涉及一种清洗多孔材料的装置，至少包括：一流体储存槽，用以储放一流体；一泵，其中该泵连接该流体储存槽，且该泵提供具不同压力的该流体；一处理反应室，其中该处理反应室连接该泵，且该处理反应室用以放置并清洗该多孔材料；以及一终点检测器，其中该终点检测器连接该处理反应室，且该终点检测器用以检测出该多孔材料的清洗终点。运用此清洗多孔材料的装置时，可在利用超临界流体清洗多孔材料上的制备工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压。如此一来，可平衡多孔材料的内外压力，达到降低压力对多孔材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN2731706Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420084786.1

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in－situ)形成的。