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公开(公告)号：CN113206079A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011471671.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一垂直结构与第二垂直结构以及隔离结构。第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；隔离结构位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。隔离结构包括中心区与多个基脚区形成于中心区的两侧上。每一基脚区为自每一基脚区的第一末端至第二末端朝向中心区的锥形。
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公开(公告)号：CN113140562A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110053725.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供一种半导体结构。半导体结构包括金属栅极结构，设置于半导体基板上方；栅极间隔物，设置于金属栅极结构的侧壁上；源极/漏极接触件，设置于半导体基板上方并且通过栅极间隔物与金属栅极结构分开；及接触部件，耦合金属栅极结构至源极/漏极接触件。可将接触部件设置成包括设置于金属层上的介电层，其中介电层及金属层是由连续的侧壁所定义。
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公开(公告)号：CN113130483A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110136660.2
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 半导体结构包括多个鳍状结构，沿着第一方向延伸；多个栅极结构部件，沿着第二方向延伸，第二方向正交于第一方向，其中栅极结构部件隔有多个虚置鳍状结构。半导体结构还包括导电层，位于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，以电性连接至少一些栅极结构部件；以及切割结构，对准虚置鳍状结构的一者，以电性隔离虚置鳍状结构的一者的两侧上的栅极结构部件。
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公开(公告)号：CN111755506A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911355292.X
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，半导体装置包括：自基板延伸的鳍状物，位于鳍状物的通道区上的栅极结构，位于鳍状物的源极/漏极区上的源极/漏极接点；沿着栅极结构的侧壁延伸的间隔物，沿着源极/漏极接点的侧壁延伸的衬垫层，位于栅极结构上并电性耦接至栅极结构的栅极接点通孔，以及位于源极/漏极接点上并电性耦接至源极/漏极接点的源极/漏极接点通孔。栅极接点通孔延伸穿过第一介电层，使第一介电层的一部分夹设于栅极接点通孔与间隔物之间。源极/漏极接点通孔延伸穿过第二介电层，使第二介电层的一部分夹设于源极/漏极接点通孔与衬垫层之间。
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公开(公告)号：CN111200012A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911141072.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体装置及其形成方法。在一个实施例中，一个根据本公开的半导体装置包含延伸自基板的鳍片、位于鳍片的通道区上的栅极结构、位于鳍片的源极/漏极区上的源极/漏极接触件、与栅极结构相邻的栅极切割部件、与源极/漏极接触件相邻的源极/漏极接触隔离部件、沿着栅极切割部件延伸的侧壁及栅极结构的侧壁延伸的间隔物、沿着源极/漏极接触隔离部件的侧壁及源极/漏极接触件的侧壁延伸的衬层、及被间隔物及衬层夹住的气隙。栅极切割部件及源极/漏极接触隔离部件被间隔物、气隙、及衬层分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783201A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682987.2
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置的形成方法包括：提供装置，其包括具有金属栅极层的栅极堆叠。装置亦包括位于栅极堆叠的侧壁上的间隔物层，以及与栅极堆叠相邻的源极/漏极结构。方法还包括对金属栅极层进行第一回蚀刻制程，以形成回蚀刻的金属栅极层。在一些实施例中，方法包括沉积金属层于回蚀刻的金属栅极层上。在一些例子中，形成半导体层于金属层与间隔物层上，以提供栅极堆叠与间隔物层上的T形盖层。
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公开(公告)号：CN105280698B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201410507489.1
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中，垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。具有一个或多个垂直沟道条的沟道区设置在源极区上方。一个或多个垂直沟道条的底面邻接源极区并且具有矩形形状(即，具有四条边的形状，具有不同长度的相邻边和四个直角)。栅极区位于源极区上方并且位于邻接垂直沟道条的位置处，漏极区设置在栅极区和垂直沟道条上方。垂直沟道条的矩形形状提供了具有更好性能和单元区域密度的垂直器件。
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公开(公告)号：CN106711223A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610993908.6
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/0886 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/66795
Abstract: 本揭示揭露一种半导体装置。此半导体装置包含：鳍片结构，其在基板上；第一源极/漏极特征，其安置于鳍片结构上；第一导电层，其直接安置于第一源极/漏极区上；第一栅极，其安置于鳍片结构上方；第一间隔件，其包含沿第一栅极的第一侧安置的第一部分及沿第一栅极的第二侧安置的第二部分，其中第一间隔件的第一部分具有实质上与第一栅极的顶部表面共面的顶部表面，且第一间隔件的第二部分具有面向第一间隔件的第一部分的侧壁；以及第二导电层，其安置于第一导电层上方且实体上接触间隔件的第一部分的顶部表面、第一栅极的顶部表面及第一间隔件的第二部分的侧壁。
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公开(公告)号：CN118693156A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410709353.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一纳米结构，位于衬底上方；第二纳米结构，位于衬底上方，其中，第一纳米结构通过位于第一纳米结构与第二纳米结构之间的隔离结构与第二纳米结构横向分隔开；第一栅极结构，位于每个第一纳米结构周围并且位于每个第二纳米结构周围，其中，第一栅极结构在隔离结构上方延伸；第三纳米结构，位于衬底上方；以及第二栅极结构，位于每个第三纳米结构周围，其中，第二栅极结构通过介电壁与第一栅极结构分隔开。本公开的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116487434A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310174729.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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