公开(公告)号：CN116487434A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310174729.X

申请日：2023-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游家权 ,  张家豪 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  许祝源 ,  陈冠霖 ,  朱熙甯 ,  郑嵘健

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119108350A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411123001.5

申请日：2024-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游家权 ,  张家豪 ,  许祝源 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本文描述了栅极隔离工艺(例如，栅极至源极/漏极接触件隔离)。示例性接触栅极隔离工艺可以包括：使栅极结构的高k栅极电介质和栅极间隔件的侧壁部分凹进(例如，通过蚀刻)以形成暴露栅极结构的栅电极的侧壁的接触栅极隔离(CGI)开口；沿栅电极的侧壁形成部分填充CGI开口的栅极隔离衬垫；以及在栅极隔离衬垫上方形成填充CGI开口的剩余部分的栅极隔离层。栅极隔离衬垫的介电常数小于高k栅极电介质的介电常数。栅极隔离层的介电常数小于高k栅极电介质的介电常数。栅极隔离层的介电常数可以小于栅极隔离层的介电常数。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法。