公开(公告)号：CN110943036A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910892557.3

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林義雄 ,  黄禹轩 ,  赖志明 ,  刘如淦 ,  张尚文 ,  邱奕勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/02

Abstract: 本揭示案描述了用于在集成电路(integrated circuit；IC)中形成金属互连的方法。此方法包括在布局区域中放置金属互连，确定金属互连的多余部分的位置，及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度，以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC的相邻栅结构之间的距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayer dielectric；ILD)层上形成一或更多个主动部分，以及在一或更多个主动部分上形成通孔，其中通孔位于与一或更多个主动部分的端部相距约3nm至约5nm的位置。

公开(公告)号：CN106711223A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610993908.6

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟豪 ,  张家豪 ,  王志豪 ,  游家权 ,  林義雄 ,  林志昌 ,  郭嘉豪 ,  余科京

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 本揭示揭露一种半导体装置。此半导体装置包含：鳍片结构，其在基板上；第一源极/漏极特征，其安置于鳍片结构上；第一导电层，其直接安置于第一源极/漏极区上；第一栅极，其安置于鳍片结构上方；第一间隔件，其包含沿第一栅极的第一侧安置的第一部分及沿第一栅极的第二侧安置的第二部分，其中第一间隔件的第一部分具有实质上与第一栅极的顶部表面共面的顶部表面，且第一间隔件的第二部分具有面向第一间隔件的第一部分的侧壁；以及第二导电层，其安置于第一导电层上方且实体上接触间隔件的第一部分的顶部表面、第一栅极的顶部表面及第一间隔件的第二部分的侧壁。