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公开(公告)号：CN120018568A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510169918.7
申请日：2025-02-17
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请涉及一种无金欧姆接触电极及其制备方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。该无金欧姆接触电极形成于半导体器件的外延结构表面，该外延结构的最外层为p‑GaN层；无金欧姆接触电极包括依次层叠于所述p‑GaN层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中，第一金属层的材质包括Ti、Al或Zn中的至少一种；第二金属层的材质包括Ni、Pt或Ag中的至少一种，且第二金属层的厚度为3～8nm；第三金属层的材质为Pd。该无金欧姆接触电极具有超低比接触电阻率，可大幅提高GaN p‑FETs器件性能，且不含Au，制造成本低，可同时兼容GaN CMOS和Si基CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN118316285B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410615758.X
申请日：2024-05-17
Applicant: 南方科技大学
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , H02M3/158
Abstract: 本申请公开了一种GaN HEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路，应用于电力电子技术领域，用以解决现有技术中存在的GaN HEMT功率器件的驱动电路较为复杂的问题。具体包括：由第一开关模块、感性储能模块、至少一个正端容性储能模块、至少一个负端容性储能模块和控制器构成的电压变换电路、至少一个第一驱动模块和至少一个第二驱动模块。这样，通过控制第一开关模块在第一状态或第二状态切换工作，可以实现通过同一个电压变换电路同时产生负压和正压，以实现同时为驱动外部开关管的第一驱动模块以及驱动GaN HEMT功率器件的第二驱动模块供电，无需额外设置线性稳压器，简化电路设置，提升了驱动电路的效率。
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公开(公告)号：CN118800797A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410679239.X
申请日：2024-05-29
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/367 , H01L23/34 , G01N27/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓传感器及其制备方法，所述氮化镓传感器包括外延结构，所述外延结构从上至下依次包括：势垒层、沟道层、缓冲层和衬底；其中，所述势垒层的上表面设置有源极和漏级；所述源极和漏级之间设置有若干个栅极；所述源极、漏级和栅极彼此平行且间隔排布，共同形成齿状结构；所述势垒层的上表面还设置有钝化层；所述源极、漏级和栅极均被所述钝化层覆盖；所述栅极的数量≥2。本发明提供了一种高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统，且易大规模集成和生产，对实现高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110323061B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201910619802.3
申请日：2019-07-10
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明披露了一种具有多种烧制模式的三维模组(多模三维模组)。它含有多个器件层，每个器件层包括多个无源元件，无源元件含有至少一层具有高介电常数的介质材料。器件层被互连层分隔。每个互连层包括至少一层具有低介电常数的介质材料。通过对单个器件层中的无源元件进行共同烧制(共烧)，可减少无源元件的安装时间与安装成本；通过分别烧制(分烧)不同器件层和不同互连层，多模三维模组具有更好的电学性能。
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公开(公告)号：CN110417374B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910796365.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364768A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111568259.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和电子元件，该p‑GaN欧姆接触电极包括p‑GaN材料层和电极；电极包括设置在p‑GaN材料层表面的强亲氧性金属层和设置在强亲氧性金属层上的高功函数金属层。利用强亲氧性金属的强亲氧性，在后期退火工艺过程中，还原P‑GaN表面上生成的GaO，达到原位去除表面GaO的作用，降低金属/p‑GaN间的肖特基势垒高度。同时电极金属中选择功函数高、致密性好的金属作为第二金属层，第二金属层一方面做为阻挡层，阻止强亲氧性金属的向外扩散，另一方面退火过程中第二金属层的元素扩散到p‑GaN材料层，与p‑GaN材料层直接接触，易于与p‑GaN形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN113098485B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110363379.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例公开了一种双转单驱动电路，包括：跟随器，包括：第一信号输入端口和第一信号输出端口；推挽放大器，包括：第二信号输入端口、连接所述第一信号输出端口的第三信号输入端口和单端信号输出端口；其中，所述跟随器的所述第一信号输入端口和所述推挽放大器的所述第二信号输入端口用于接收输入差分信号，所述单端信号输出端口用于输出经由所述差分信号转换得到的单端信号。本发明实施例公开的双转单驱动电路提高了电路的能量利用率。
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公开(公告)号：CN114566472A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210192071.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法，属于半导体器件领域。半导体器件具有形成于衬底之上的外延结构，且该外延结构具有InAlN/GaN异质结。进一步地，该半导体器件还包括至少在源极和漏极之间分布的二维材料层；并且二维材料层具有栅介质部和位于所述栅介质部两侧的钝化部。其中，器件的栅极通过栅介质部与外延结构间接接触，钝化部位于器件的栅极和源极之间，以及器件的栅极和漏极之间。该器件中使用二维材料作为栅介质和钝化结构，能够降低器件的漏电流并提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN114362514A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210030922.1
申请日：2022-01-12
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请提供了一种充电电路与充电系统，涉及充电技术领域。该充电电路包括第一开关管、第一电容、基准电压源以及至少两个降压模块，至少两个降压模块依次电连接，第一开关管分别与第一个降压模块、第一电容电连接，第一电容也与第一个降压模块电连接，最后一个降压模块分别与基准电压源、输出端口电连接，且每个降压模块均包括第二电容；其中，当充电电路处于第一状态时，第一电容与每个降压模块中的第二电容串联，并对第一电容与第二电容充电；当充电电路处于第二状态时，第一电容与每个降压模块中的第二电容并联，并通过第一电容与第二电容对输出端口进行放电。本申请具有能够实现更高倍数的电压电流变化的优点。
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公开(公告)号：CN112885893A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110125086.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体管及其制备方法，述氧化镓晶体管包括由衬底依次连接的Ga2O3层以及(AlxGa1‑x)2O3层，所述(AlxGa1‑x)2O3层内部掺杂有掺杂元素，0＜x＜1。所述氧化镓晶体管在不增大杂质电离散射的情况下，其载流子迁移率显著增大，载流子浓度大幅提高，同时二维电子气浓度增大，器件的电流密度得到提高。
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