公开(公告)号：CN113140247A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010052642.1

申请日：2020-01-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  张国兴 ,  翟正军 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  郭跃进

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提出一种三维阻变式随机读取存储器（3D‑RRAM）。阻变式随机读取存储（RRAM）阵列(0A)含有一条哑字线和多条哑位线。只有位于哑字线和哑位线交叉处的存储元被编程；其它所有哑存储元均未编程。读取数据时，哑字线和一条数据字线的上电压同时上升到读电压。本发明还提出了各种参考电压的产生方法。

公开(公告)号：CN110323061A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910619802.3

申请日：2019-07-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  郭跃进 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  张旺 ,  胡明涛

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明披露了一种具有多种烧制模式的三维模组(多模三维模组)。它含有多个器件层，每个器件层包括多个无源元件，无源元件含有至少一层具有高介电常数的介质材料。器件层被互连层分隔。每个互连层包括至少一层具有低介电常数的介质材料。通过对单个器件层中的无源元件进行共同烧制(共烧)，可减少无源元件的安装时间与安装成本；通过分别烧制(分烧)不同器件层和不同互连层，多模三维模组具有更好的电学性能。

公开(公告)号：CN110323061B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910619802.3

申请日：2019-07-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  郭跃进 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  张旺 ,  胡明涛

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明披露了一种具有多种烧制模式的三维模组(多模三维模组)。它含有多个器件层，每个器件层包括多个无源元件，无源元件含有至少一层具有高介电常数的介质材料。器件层被互连层分隔。每个互连层包括至少一层具有低介电常数的介质材料。通过对单个器件层中的无源元件进行共同烧制(共烧)，可减少无源元件的安装时间与安装成本；通过分别烧制(分烧)不同器件层和不同互连层，多模三维模组具有更好的电学性能。