公开(公告)号：CN110323061B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910619802.3

申请日：2019-07-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  郭跃进 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  张旺 ,  胡明涛

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明披露了一种具有多种烧制模式的三维模组(多模三维模组)。它含有多个器件层，每个器件层包括多个无源元件，无源元件含有至少一层具有高介电常数的介质材料。器件层被互连层分隔。每个互连层包括至少一层具有低介电常数的介质材料。通过对单个器件层中的无源元件进行共同烧制(共烧)，可减少无源元件的安装时间与安装成本；通过分别烧制(分烧)不同器件层和不同互连层，多模三维模组具有更好的电学性能。

公开(公告)号：CN116978875A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310989239.5

申请日：2023-08-07

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 郭跃进 ,  首涛 ,  潘丽 ,  张承鑫 ,  程璐 ,  张烨 ,  张国飙

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请提供一种芯片堆叠散热结构、三维堆叠封装系统及制作方法，芯片堆叠散热结构包括：由下至上依次叠加设置的重布线层、连接层以及芯片层，在重布线层内嵌入设置有多个散热片，以形成散热层，散热层和重布线层位于所述芯片层的同一侧。本申请中的重布线层和散热层均位于芯片层的同侧，使重布线层和散热层均占据较小的空间，以更高的集成度堆叠芯片层，从而实现单位高度下更多的芯片层的堆叠层数，减少了芯片堆叠散热结构的整体尺寸和封装厚度，使得芯片堆叠散热结构能够更多地应用于对厚度要求较高的终端设备，同时不会损失散热效果。

公开(公告)号：CN115802763A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210691159.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  宋志棠

IPC: H10B63/00 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明提出一种具有超薄存储元的存储器，其存储膜(30)含有OTS(Ovonic Threshold Switching)膜(30A)，不含有单独的相变材料(PCM，即Phase‑Change Material)膜。在一实施例中，存储膜(30)的总厚度T不大于60nm。在另一实施例中，存储膜(30)不含有单独的编程膜。超薄存储器包括三维横向存储器和三维纵向存储器。

公开(公告)号：CN117199024A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311023916.4

申请日：2023-08-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 郭跃进 ,  首涛 ,  潘丽 ,  张承鑫 ,  程璐 ,  张烨 ,  张国飙

IPC: H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种强化碳纤维取向热界面材料界面传热的散热结构，涉及电子元件散热的技术领域。强化碳纤维取向热界面材料界面传热的散热结构包括碳纤维取向热界面材料层和浸润层；浸润层包括第一浸润层和第二浸润层；碳纤维取向热界面材料层的底部设置有第一浸润层；碳纤维取向热界面材料层的顶部设置有第二浸润层。达到了降低热界面接触面空隙数量的技术效果。

公开(公告)号：CN114551451A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202110574892.6

申请日：2021-05-26

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 高密度三维纵向存储器(3D‑MV)包括低掺杂段3D‑MV和非圆孔型3D‑MV。低掺杂段3D‑MV不利用横向空间(指沿存储孔的半径方向)、而是利用纵向空间(指沿存储孔的深度方向)来保证存储元的正常读/写操作。非圆孔型3D‑MV含有多个非圆存储孔，非圆存储孔的横截面含有至少两对相交的平行边线，每对平行边线通过DUV光刻单次曝光形成、且最小间距小于50纳米。

公开(公告)号：CN110473850A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910853481.3

申请日：2019-09-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 项晓东 ,  权泰 ,  沈美 ,  郭跃进 ,  张国飙 ,  安丰伟

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427

Abstract: 本发明公开了一种散热结构和散热系统。该散热结构包括：散热通道；散热翅片，设置于散热通道的至少一侧；位于散热通道同一侧的散热翅片沿散热通道的延伸方向排列；散热通道与散热翅片均形成为空腔结构；散热翅片包括相对设置的第一端和第二端，第一端为封闭端，第二端为开口端，第二端与散热通道连通。本发明实施例提供的技术方案通过设置空腔结构的散热通道和散热翅片，可增大散热面积，可以在较小的散热结构的体积上将散热面积增大，从而可提高散热效率，有利于避免器件和芯片的热失控损坏。

公开(公告)号：CN110323061A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910619802.3

申请日：2019-07-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  郭跃进 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  张旺 ,  胡明涛

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明披露了一种具有多种烧制模式的三维模组(多模三维模组)。它含有多个器件层，每个器件层包括多个无源元件，无源元件含有至少一层具有高介电常数的介质材料。器件层被互连层分隔。每个互连层包括至少一层具有低介电常数的介质材料。通过对单个器件层中的无源元件进行共同烧制(共烧)，可减少无源元件的安装时间与安装成本；通过分别烧制(分烧)不同器件层和不同互连层，多模三维模组具有更好的电学性能。

公开(公告)号：CN113140247A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010052642.1

申请日：2020-01-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  张国兴 ,  翟正军 ,  于洪宇 ,  周生明 ,  郭跃进

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提出一种三维阻变式随机读取存储器（3D‑RRAM）。阻变式随机读取存储（RRAM）阵列(0A)含有一条哑字线和多条哑位线。只有位于哑字线和哑位线交叉处的存储元被编程；其它所有哑存储元均未编程。读取数据时，哑字线和一条数据字线的上电压同时上升到读电压。本发明还提出了各种参考电压的产生方法。

公开(公告)号：CN119451132A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310979874.5

申请日：2023-08-04

Applicant: 南方科技大学 ,  杭州海存信息技术有限公司

Inventor： 张国飙

IPC: H10B63/10 ,  H10B63/00 ,  H10B61/00 ,  H10B51/20 ,  H10B51/40 ,  H10B51/30 ,  H10B69/00

Abstract: 本发明提出一种高速三维存储器（3D‑M）(100)及系统(1000)。高速3D‑M芯片(100)中每个存储阵列(100ij)的字线数目nW≤1000、位线数目nB≤1000；在每个读周期中，所有存储阵列中至少1/4同时被激活。高速3D‑M系统(1000)包括面对面键合的高速3D‑M芯片(100)和计算芯片(300)，且工作温度≥85oC。高速3D‑M芯片(100)能达到HBM的带宽，同时利用混合键合与计算芯片(300)实现高带宽耦合。

公开(公告)号：CN115206959A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210393376.8

申请日：2022-04-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  宋志棠 ,  于洪宇 ,  宋三年

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请提供了一种ESD保护电路与多电源集成电路，涉及集成电路技术领域。该ESD保护电路包括第一端口和第二端口，第一端口与一接触垫耦合，第二端口与一电源耦合；多个并联的ESD器件，每个ESD器件均含有第一子端口和第二子端口；所有第一子端口均与第一端口耦合；所有第二子端口均与第二端口耦合；每个ESD器件均含有一电阻和一OTS元件，电阻与OTS元件串联；ESD保护电路为接触垫提供ESD保护。本申请提供的ESD保护电路与多电源集成电路具有减小了ESD保护电路的面积以及降低了成本的优点。