公开(公告)号：CN105873713B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201580003675.4

申请日：2015-01-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石野聡 ,  川口义博 ,  中野公介 ,  高冈英清 ,  柳瀬航

IPC: B23K20/00

CPC classification number: B23K20/026 ,  B23K20/002 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3613 ,  C21D9/50

Abstract: 在将第1结构材料(10)与第2结构材料(20)介由低熔点金属和高熔点金属的金属间化合物层接合时，在第1结构材料(10)与第2结构材料(20)之间介由具备用于形成金属间化合物层的原料成分与在热处理时软化·流动的树脂成分的混合层的接合材料贴合第1结构材料(10)与第2结构材料(20)并对其进行热处理。通过如上操作，将第1结构材料(10)与第2结构材料(20)介由金属间化合物层接合，并且使树脂成分(33)渗出并由树脂膜(R)被覆金属间化合物层的侧周(露出)部，由此可容易地使第1结构材料(10)和第2结构材料(20)的接合状态稳定，另外，在各结构材料的接合面间的整体形成有大致均匀厚度的接合层，因此，也可提高接合部的强度。

公开(公告)号：CN104160463B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380012339.7

申请日：2013-02-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高冈英清 ,  中野公介 ,  太田裕 ,  川崎健一

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G2/106 ,  B23K1/0016 ,  H01G4/008 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/2325 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供进行焊接安装时的焊接部的耐热性优异且外部电极的焊料润湿性良好、能够进行可靠性高的安装的电子部件，以及接合可靠性优异、耐热性高的接合结构体的形成方法。在具有电子部件主体(陶瓷层叠体)1和形成在其表面的外部电极5的电子部件A1中，外部电极具有选自Cu‑Ni合金层及Cu‑Mn合金层中的至少一种10和形成在合金层外侧的抗氧化膜20。抗氧化膜具有含有Sn的含Sn膜。抗氧化膜具有由贵金属构成的贵金属膜。抗氧化膜具有由有机物构成的有机物膜。

公开(公告)号：CN103153528B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180048991.5

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  高冈英清

IPC: B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  B23K35/363

CPC classification number: H01R4/02 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/025 ,  B22F7/064 ,  B22F7/08 ,  B23K1/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  C22C1/0483 ,  C22C1/0491 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01R4/04

Abstract: 本发明提供例如作为焊油使用时，焊接工序中的第1金属和第2金属的扩散性良好，以低温且短时间生成熔点高的金属间化合物，在焊接后几乎不残留第1金属，耐热强度优异的导电性材料和使用它的连接可靠性高的连接方法及连接构造。上述导电性材料为具备下述要素的构成，即，含有由第1金属和熔点比第1金属高的第2金属构成的金属成分，第1金属为Sn或含有70重量%以上的Sn的合金，第2金属为与第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物的、且与在第2金属的周围生成的金属间化合物的晶格常数差为50%以上的金属或合金。另外，使第2金属在金属成分中所占的比例为30体积%以上。作为第2金属，使用Cu‑Mn合金或Cu‑Ni合金。

公开(公告)号：CN103167926B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049028.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  高冈英清

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34 ,  B23K35/22 ,  B23K101/36

CPC classification number: H01R4/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01R4/58 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0272 ,  Y10T403/479

Abstract: 在本发明中，为了提供确保充分的接合强度、且抑制、防止接合材料在温阶连接中的再回流焊等阶段流出的接合方法和接合结构等，形成了下述构成，即，将表面由第1金属构成的第1金属构件（11a）和表面由第2金属构成的第2金属构件（11b）通过含有熔点比第1和第2金属低的低熔点金属的接合材料（10）接合时，使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn的合金，使第1和第2金属中的至少一方为如下的金属或合金，即，所述金属或合金与该低熔点金属之间生成金属间化合物（12）、且与金属间化合物的晶格常数差为50%以上，在将接合材料配置在第1金属构件和第2金属构件之间的状态下，在该低熔点金属熔融的温度下进行热处理。

公开(公告)号：CN103404239B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280009025.7

申请日：2012-02-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 千阪俊介 ,  杣田博史 ,  中野公介 ,  加藤登

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/092 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1533 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/115 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4617 ,  H05K3/4632 ,  H05K2201/0305 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/063 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49165

Abstract: 本发明是一种多层配线基板，其是通过层叠多张树脂层而成，且内部具有导体配线层和通孔导体的多层配线基板，所述树脂层具有含有树脂的树脂片和形成于该树脂片的至少一个表面的导体配线层，上述通孔导体含有具有300℃以上的熔点的金属间化合物，该金属间化合物通过由Sn或含有70重量%以上的Sn的合金构成的第1金属与由熔点比上述第1金属高的Cu-Ni合金或Cu-Mn合金构成的第2金属反应而生成。

公开(公告)号：CN104245204A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380012349.0

申请日：2013-02-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  关本裕之 ,  高冈英清 ,  钓贺大介

IPC: B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/30 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  B23K35/26 ,  B23K101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02

CPC classification number: B23K20/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/42 ,  C21D9/50 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  Y10T403/478 ,  B23K1/19 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明提供能得到无空隙、致密且耐热性高、可靠性优异的接合部的接合方法和接合部的可靠性高的接合结构体。在将第1接合对象物和第2接合对象物接合时，第1接合对象物具有由Sn或含Sn合金构成的第1金属，第2接合对象物具有由含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金构成的第2金属，并且在第1接合对象物和第2接合对象物接触的状态下进行热处理，在两者的界面上生成金属间化合物，由此将第1接合对象物和第2接合对象物接合。作为第1金属，使用含Sn 70重量％以上的合金。作为第1金属，使用含Sn 85重量％以上的合金。

公开(公告)号：CN104245203A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380012347.1

申请日：2013-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  高冈英清

IPC: B23K1/00 ,  C22C9/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26 ,  B23K101/40 ,  C22C9/00

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0216 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/222 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01R4/02 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  B23K1/00 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/00 ,  H01L2021/60007 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明提供一种在确保充分的接合强度的同时将第1金属部件和第2金属部件接合且能抑制、防止温阶连接的再回流焊等阶段中的接合材料流出的接合方法等。在将由第1金属构成的第1金属部件(11a)和由第2金属构成的第2金属部件(11b)介由含有比第1和/或第2金属熔点低的低熔点金属的接合材料(10)进行接合时，使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn合金，第1和第2金属中的至少一方为会与构成接合材料的低熔点金属之间生成金属间化合物12的金属或合金，在将接合材料配置在第1金属部件和第2金属部件之间的状态下，在上述低熔点金属熔融的温度下进行热处理。

公开(公告)号：CN103168392A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201280003300.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  高冈英清

IPC: H01R4/02 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/363 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00

CPC classification number: H01R4/02 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/36 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C19/03 ,  C22C22/00 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611

Abstract: 本发明的连接结构适用于电子部件的安装、通孔连接等情况，在使用焊料将第1连接对象物和第2连接对象物连接的连接结构中，提高热冲击后的接合可靠性。利用WDX分析连接部（4）的剖面时，在该连接部（4）的剖面，形成了至少存在有Cu-Sn系、M-Sn系（M为Ni和/或Mn）以及Cu-M-Sn系的金属间化合物的区域（9）。另外，将连接部（4）的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数相对于除去在1块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例为70%以上。

公开(公告)号：CN112908692A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110051475.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤田幸宏 ,  神部昌吾 ,  中野公介 ,  大塚英树

IPC: H01G2/06 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/252 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种芯片型电子部件，具备：芯片型的部件主体，具有：对置的第一主面和成为安装面的第二主面；以及将第一和第二主面间连结并且分别对置的第一和第二侧面以及第一和第二端面；至少两个外部电极；以及至少两个间隔件，与各外部电极电连接，且至少一部分沿着安装面设置，各外部电极形成在第一以及第二端面上，并形成为从各端面延伸至第一以及第二主面的各一部分和第一以及第二侧面的各一部分，各间隔件沿着安装面设置，具有与各外部电极相接的部分和与主面相接的部分，在安装面上，间隔件具有在相对于该安装面垂直的方向上测定的给定的厚度方向尺寸，且含有包含从Cu以及Ni中选择的至少一种金属和Sn的金属间化合物。

公开(公告)号：CN104364899B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201380031145.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中越英雄 ,  高木阳一 ,  小川伸明 ,  高冈英清 ,  中野公介 ,  镰田明彦 ,  水白雅章

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L25/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K7/02 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/19106 ,  H05K1/141 ,  H05K1/186 ,  H05K3/284 ,  H05K3/368 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10318 ,  H05K2201/10477 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2201/10992 ,  H05K2203/047

Abstract: 本发明的电子部件模块中，经由接合部将布线基板上的导电焊盘与柱状的连接端子构件相接合，并且在布线基板上形成有封装连接端子构件的树脂层，所述电子部件模块能够抑制构成接合部的接合材料在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中流出。预先在连接端子构件(6)的露出侧的端面(9)上形成由Cu‑M类合金(M为Ni及/或Mn)构成的电镀层(15)，其中，该Cu‑M类合金能够与构成接合部(10)的接合材料中所含的Sn类低熔点金属生成金属间化合物，并且该Cu‑M类合金与该金属间化合物的晶格常数差在50％以上。即使在回流工序中接合材料再次熔融并朝向外部流出，该接合材料也会与Cu‑M类电镀层(15)接触而形成由金属间化合物构成的高熔点合金体(27)，从而将连接端子构件(6)与树脂层(11)的界面封堵。