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公开(公告)号：CN116403911A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310269326.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种制备二维纳米材料同质结和异质结的方法,首先利用分子束外延技术在超润滑基底上生长高质量的单层岛状二维材料，其次利用扫描隧道显微镜的针尖操纵技术,并采用平面拼接和层间堆叠这两种方式中的任意一种方式对二维材料进行处理，以在纳米尺度上实现对同质结和异质结的可控制备。本发明流程简单，能改良现有的同质结和异质结制备方法，获得高质量、无污染、界面原子结构精准可控、层间转角精确可调的二维材料同质结和异质结样品，适于推广应用。
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公开(公告)号：CN114920239A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210505230.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B19/00 , C30B25/00 , C30B29/46
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。
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公开(公告)号：CN114428180A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210049857.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国科学院物理研究所 , 北京理工大学 , 中国科学院大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。本发明通过真空中原位蒸镀富勒烯(C60)薄膜和金属薄膜或非金属薄膜的方法，解决了二维纳米材料制备STEM样品需经过暴露大气，导致样品被污染以及后续取样中表征结构被破坏的问题。
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公开(公告)号：CN113140641A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110405178.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0203 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。
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公开(公告)号：CN120018339A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510191858.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源制备方法，包括以下步骤：将石墨烯纳米卷形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上；使得悬空的所述石墨烯纳米卷横跨所述衬底的沟槽结构，并与所述沟槽结构两侧的电极结构接触；在与所述石墨烯纳米卷接触的电极结构之间施加偏置电压，以使得悬空的所述石墨烯纳米卷发光；和在所述石墨烯纳米卷的光路上放置偏振片，以制备基于所述石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例提供的基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源的制备方法，能够在高效且精准地制备基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例还提供一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119905381A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411991182.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京理工大学 , 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/505 , G01R21/00 , G06F30/27 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种射频功率的调节系统及其调节方法和半导体工艺设备。该调节系统包括：干扰监测模块，获取反应腔内的射频功率的时域信号，并基于时域信号的频域特性获取干扰数据；自适应控制模块，以干扰数据作为状态输入变量，通过学习最优策略更新动作输出变量，并基于干扰抑制和能耗的目标函数，确定出最优动作输出变量，其中，动作输出变量包括频率调节量、幅值调节量和脉宽调节量；以及反馈调节模块，基于最优动作输出变量，动态调节反应腔内的多个工艺参数以使多个工艺参数到达目标工艺参数范围。本发明能够自适应地调整反应腔内的射频功率密度，实现干扰抑制与能耗的最佳动态平衡，从而提升射频干扰抑制效果、工艺稳定性及设备效率。
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公开(公告)号：CN119815890A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411804344.8
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种薄膜晶体管，包括栅介质层和沟道层，所述栅介质层设置在所述沟道层的下方，所述栅介质层由高K栅介质制成，所述沟道层由Sn掺杂的GeO2制成。本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过高k栅介质与超宽带隙半导体GeO2相结合，能够增强器件的热稳定性和可靠性，并能够有效地控制沟道层的电荷，显著提升电学性能。本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN119815889A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411804210.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种基于超宽带隙半导体GeO2结构的薄膜晶体管，包括栅介质层和沟道层，所述沟道层设置在所述栅介质层的上方，所述沟道层为Sn掺杂非晶GeO2薄膜。本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过Sn掺杂成功实现了非晶GeO2从绝缘体到半导体的转变，能够实现GeO2在高性能和大功率电子器件的应用。本申请实施例还提供一种基于超宽带隙半导体GeO2结构的薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN119492593A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411595807.4
申请日：2024-11-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种悬空低维材料的制备方法，包括以下步骤：制备带有支撑材料层和有机薄膜层的低维材料；将带有所述支撑材料层和所述有机薄膜层的所述低维材料转移至悬空结构上；和剥离所述支撑材料层，以制备所述悬空低维材料。本发明实施例提供的悬空低维材料的制备方法能够能够高效、无污染且可控地制备悬空样品，并适用于透射电子显微镜、拉曼光谱及非线性光学等测试。本申请实施例还提供一种悬空低维材料。
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公开(公告)号：CN119317090A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411723625.0
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京理工大学 , 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: H05K9/00 , G01R29/08 , G06F18/213 , G06N20/20 , G06F18/241 , G06F18/2411 , G06F18/2431 , G06F18/243 , G06F18/27
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种半导体设备智能电磁干扰抑制系统。本发明包括传感器网络，安装于半导体设备的电磁干扰关键位置，实时监测并采集半导体设备的电磁数据并发送至中央数据处理模块；中央数据处理模块，对接收的电磁数据进行分析，基于机器学习算法的干扰源定位模型进行干扰源识别与定位，对干扰源进行行为预测分析，生成自适应干扰抑制策略，发送干扰抑制指令；反馈控制模块，基于干扰抑制指令，执行反馈控制动作，实现对半导体设备多层次电磁干扰的实时抑制并反馈抑制效果。本发明实现电磁干扰的实时有效抑制，显著提升了半导体设备的工艺稳定性及控制精度。
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