一种二元化合物的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117187763A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311111610.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请实施例提供一种二元化合物的制备方法,包括:步骤S1:在衬底上生成第一薄膜和第二薄膜;步骤S2:所述第一薄膜和所述第二薄膜通过化学气相沉积法,生成不同物相比例的二元化合物,其中,在步骤S1中,所述第一薄膜和所述第二薄膜的含量通过所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度来控制,在步骤S2中,通过控制第一薄膜和第二薄膜的厚度比例,控制不同物相比例的所述二元化合物的生成。本发明实施例提供的一种二元化合物的制备方法能够实现二元化合物的大面积可控相变。

    一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源制备方法

    公开(公告)号:CN120018339A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510191858.9

    申请日:2025-02-20

    Abstract: 本申请实施例提出一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源制备方法,包括以下步骤:将石墨烯纳米卷形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上;使得悬空的所述石墨烯纳米卷横跨所述衬底的沟槽结构,并与所述沟槽结构两侧的电极结构接触;在与所述石墨烯纳米卷接触的电极结构之间施加偏置电压,以使得悬空的所述石墨烯纳米卷发光;和在所述石墨烯纳米卷的光路上放置偏振片,以制备基于所述石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例提供的基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源的制备方法,能够在高效且精准地制备基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例还提供一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。

    悬空低维材料及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119492593A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411595807.4

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本申请实施例提出一种悬空低维材料的制备方法,包括以下步骤:制备带有支撑材料层和有机薄膜层的低维材料;将带有所述支撑材料层和所述有机薄膜层的所述低维材料转移至悬空结构上;和剥离所述支撑材料层,以制备所述悬空低维材料。本发明实施例提供的悬空低维材料的制备方法能够能够高效、无污染且可控地制备悬空样品,并适用于透射电子显微镜、拉曼光谱及非线性光学等测试。本申请实施例还提供一种悬空低维材料。

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