-
公开(公告)号：CN116344621A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310432436.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明实施例公开了一种阈值电压正向偏移的氧化镓晶体管及其制备方法，氧化镓晶体管包括栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅介质层的材料选自高k栅介质材料；所述沟道层为至少具有氮掺杂的氧化镓沟道层，和/或，氧化镓/IGZO异质结沟道层。本发明通过对晶体管材料及其制备方法的相应改进，基于简单的工艺步骤，即可使制得的氧化镓晶体管保持高导通电流的同时在低偏置电压下快速开关，最终实现了具有小数值的正数阈值电压的增强型氧化镓晶体管，且整个制备过程的灵活性高，成本低。
-
公开(公告)号：CN116344597A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310432441.8
申请日：2023-04-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于场效应晶体管的非晶氧化镓沟道层材料及制备方法、场效应晶体管及制备方法，非晶氧化镓沟道层材料的制备方法包括：S10、采用氧化镓靶材和至少一个掺杂靶材进行共同溅射，获得掺杂的预制氧化镓；S20、将步骤S10中的预制氧化镓在真空或气体存在的环境下进行后退火，得到用于场效应晶体管的沟道层材料。本发明通过磁控共同溅射，并结合后退火的协同操作，使得制备氧化镓能够在相对低温环境下进行，从而获得具有高导电性和高击穿场强特性的非晶氧化镓沟道层，同时具有快速制造、大面积生长、与多种衬底的高兼容性、掺杂含量的可调控性以及器件设计的高度灵活性等优点。
-
公开(公告)号：CN116344546A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310432438.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
IPC: H01L27/088 , H01L21/34 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于大面积Ga2O3的电性能可调节的场效应晶体管阵列的制备方法及应用，制备方法包括：制备具有栅电极、栅介质层、Ga2O3沟道层、源电极和漏电极的场效应晶体管阵列；其中，所述Ga2O3沟道层由掺杂有掺杂元素的Ga2O3提供；通过调节Ga2O3沟道层中掺杂元素的掺杂量和Ga2O3沟道层的厚度对电性能进行调节。本发明的技术方案具有节约成本、场效应晶体管阵列电学特性调控性强、栅介质层材料可选择范围广、器件结构设计灵活性高、可大面积制备的优点，该工艺对发展基于Ga2O3的大面积电子器件阵列的实现及其在集成电路中的应用具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN120039874A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510142153.8
申请日：2025-02-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , C30B23/02 , C30B29/46 , C01B32/188 , H01F1/00 , H01F41/00
Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性引入方法，包括以下步骤：制备具有台阶结构的基底；和在所述基底上制备二维材料层，以在位于所述基底的台阶结构区域处的所述二维材料层中引入磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性引入方法，通过在台阶型基底上形成二维材料层，使覆盖在台阶处的二维材料层产生应变，从而产生沿台阶方向的均匀磁性，能够保持材料的本征元素构成，制备流程简单，且易于实现。本申请实施例还提供一种磁性结构。
-
公开(公告)号：CN120024891A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510192124.2
申请日：2025-02-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , G02F1/35 , C01B32/19 , C01B32/186
Abstract: 本申请实施例提出一种增强石墨烯二次谐波的方法，包括以下步骤：将石墨烯薄层形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上；和在所述衬底和与所述石墨烯薄层接触的电极结构之间施加偏置电压，以增强位于所述沟槽结构区域处的所述悬空边缘的石墨烯薄层的二次谐波。本申请实施例提供的增强石墨烯二次谐波的方法，通过电场控制悬空边缘石墨烯的应变，能够高效且显著地提升石墨烯的二次谐波的强度。本申请实施例还提供一种石墨烯结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119121414A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411179203.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种二维材料异质结的制备方法，包括步骤S1：获取所述二维材料；和步骤S2：利用扫描隧道显微镜的探针，对所述二维材料的异质结进行操纵。本发明实施例提供的一种二维材料的制备方法能够精确地对二维材料的异质结进行操纵，并且不会不可逆地破坏二维材料的结构。本申请实施例还提供一种二维材料。
-
公开(公告)号：CN117529118A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210895149.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了大规模位置可控的碳纳米管的制备方法，以及基于碳纳米管场效应晶体管的三维集成电路及其制备方法。具体为：选定所需特性的碳纳米均匀分散到溶液中；使用特殊的容器，将碳纳米管转移到特殊设计的模具上；再利用干冰保护与固定碳纳米管，之后转移到晶圆上；多次转移后形成晶圆上大规模、位置可控的碳纳米管沟道；最后进行集成电路的制备。上述过程中，在一层碳纳米管集成电路制备完成后，还可在其上制备绝缘隔离层，再制备多层叠加的三维集成电路。本发明解决了制备基于碳纳米管场效应晶体管的大规模集成电路的核心难题，既为后摩尔时代的集成电路开辟了道路，也开创了沟道材料代工的集成电路的新的产业链与商业模式。
-
公开(公告)号：CN117202759A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210592128.6
申请日：2022-05-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性存储器器件及其制造方法，该器件包括磁性薄膜结构体,且磁性薄膜结构体侧面四周设有可对其施加电压控制其磁各向异性的电极。该器件的制备方法为：先制备底部电极，在底部电极上制备磁性薄膜结构体，在磁性薄膜结构体上制备非磁性薄膜结构体，在非磁性薄膜结构体上制备另一磁性薄膜结构体，接着将两个磁性薄膜结构体与非磁性薄膜结构体制成器件，在该器件外表面制备绝缘层薄膜，在需要施加电压的磁性薄膜结构体侧面四周制备VCMA电极，最后制备VCMA电极与外界连接的导线。本发明的VCMA电极从磁性薄膜结构体侧面产生，不会对非磁性薄膜结构体产生作用，能降低磁各向异性，在帮助自旋传输矩写入方式的MTJ降低信息写入耗能的同时，显著提高非磁性薄膜结构体的耐久性。
-
公开(公告)号：CN115663060A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210554680.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , G01N21/35
Abstract: 本发明提供了一种利用二维材料的非线性光学效应增强红外光探测的方法，是先加工制备基于二维材料的光电探测器件，然后对制备好的光电探测器件进行基本物性表征，接着表征光电探测器件的二维材料的非线性光学性质，再表征利用非线性光学效应实现红外光电探测的性能，最后通过电场调控和多层堆叠调控来提升光电探测器件的探测灵敏度。本发明构思合理、操作简单，采用二维材料制备光电探测器件，非线性过程不受到波矢匹配限制条件的制约，应用范围更广，能克服红外光电探测领域因带隙限制导致的材料选择极其有限的技术困境。
-
公开(公告)号：CN113403587B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110685863.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可移动温控沙浴束源炉及其安装和镀膜方法，通过填充沙能够使得热量传递更快，温度控制更精确迅速，并且结构设计为可移动，利于在不同真空腔的使用兼容性及普遍性。本申请的可移动温控沙浴束源炉通过填充沙实现采用沙浴加热方式加热，使热量传递方式从单一的热辐射传递变为热传导和热辐射两种热传递方式，使热量传递更快，温度控制更精确迅速；同时，本申请的可移动温控沙浴束源炉结构简单，可移动的特点利于调节束源炉在真空蒸镀腔里的位置以及相对于样品的位置，也利于束源炉对不同构造的真空蒸镀腔的广泛兼容性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.019 seconds)
