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公开(公告)号：CN114994340B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210486518.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于与手套箱对接的超高真空转移装置及转移方法，装置包括：与所述手套箱可连通或闭合地连接且形成有多个通道的连通腔体，以及分别与其中一个所述通道可连通或闭合地连接的真空环境发生机构、惰性气体发生机构和样品传输机构；且，所述真空环境发生机构用于将所述连通腔体中形成为超高真空环境；所述惰性气体发生机构用于向所述连通腔体中提供惰性气体；所述样品传输机构用于将样品自所述连通腔体中转移至所述手套箱中。实现了样品在超高真空环境和可控高纯惰性气体环境之间的切换，同时整个过程能够有效保证样品的高度清洁，为后续研究提供了有利的支持的效果。
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公开(公告)号：CN118458705A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410538805.5
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法，其主要包括：(1)采用分子束外延三温度法在石墨烯衬底上制备单层VTe2；(2)在真空环境下，将纯度为99.999％的硒原子蒸发沉积到单层VTe2表面上，同时保持单层VTe2及石墨烯衬底在一个预设反应温度，以使沉积的硒原子与单层VTe2产生相互作用，并充分扩散，可控生成Janus结构钒硫族化物的二维有序的硒化产物VTeSe和VSe2中的任意一个。本发明构思合理，能够生长出一种新型的Janus结构钒硫族化合物或者可控硒化得到VSe2。
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公开(公告)号：CN113403587B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110685863.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可移动温控沙浴束源炉及其安装和镀膜方法，通过填充沙能够使得热量传递更快，温度控制更精确迅速，并且结构设计为可移动，利于在不同真空腔的使用兼容性及普遍性。本申请的可移动温控沙浴束源炉通过填充沙实现采用沙浴加热方式加热，使热量传递方式从单一的热辐射传递变为热传导和热辐射两种热传递方式，使热量传递更快，温度控制更精确迅速；同时，本申请的可移动温控沙浴束源炉结构简单，可移动的特点利于调节束源炉在真空蒸镀腔里的位置以及相对于样品的位置，也利于束源炉对不同构造的真空蒸镀腔的广泛兼容性。
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公开(公告)号：CN113403587A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110685863.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可移动温控沙浴束源炉及其安装和镀膜方法，通过填充沙能够使得热量传递更快，温度控制更精确迅速，并且结构设计为可移动，利于在不同真空腔的使用兼容性及普遍性。本申请的可移动温控沙浴束源炉通过填充沙实现采用沙浴加热方式加热，使热量传递方式从单一的热辐射传递变为热传导和热辐射两种热传递方式，使热量传递更快，温度控制更精确迅速；同时，本申请的可移动温控沙浴束源炉结构简单，可移动的特点利于调节束源炉在真空蒸镀腔里的位置以及相对于样品的位置，也利于束源炉对不同构造的真空蒸镀腔的广泛兼容性。
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公开(公告)号：CN115992346B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114920239B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210505230.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B19/00 , C30B25/00 , C30B29/46
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。
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公开(公告)号：CN114994340A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210486518.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于与手套箱对接的超高真空转移装置及转移方法，装置包括：与所述手套箱可连通或闭合地连接且形成有多个通道的连通腔体，以及分别与其中一个所述通道可连通或闭合地连接的真空环境发生机构、惰性气体发生机构和样品传输机构；且，所述真空环境发生机构用于将所述连通腔体中形成为超高真空环境；所述惰性气体发生机构用于向所述连通腔体中提供惰性气体；所述样品传输机构用于将样品自所述连通腔体中转移至所述手套箱中。实现了样品在超高真空环境和可控高纯惰性气体环境之间的切换，同时整个过程能够有效保证样品的高度清洁，为后续研究提供了有利的支持的效果。
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公开(公告)号：CN114920239A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210505230.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B19/00 , C30B25/00 , C30B29/46
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。
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公开(公告)号：CN113140641A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110405178.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0203 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。
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公开(公告)号：CN115992346A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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