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公开(公告)号:CN119469937A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411845581.9
申请日:2024-12-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种用于高原热泉的地下气体收集装置,包括气体收集部、气体冷却部和气体储存部,所述气体收集部用于收集地下气体,并经由所述气体冷却部冷却后,储存至所述气体储存部内,所述气体冷却部由耐高温耐腐蚀材料制成,所述气体冷却部的冷却段呈螺旋状。本申请实施例提供的地下气体收集装置,通过采用由由耐高温耐腐蚀材料制成且呈螺旋状的气体冷却部,从而能够提高地下气体收集装置在高原极端环境下的耐腐蚀性和耐高温性,确保气体收集过程的安全性和可靠性。
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公开(公告)号:CN118239846A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410330027.0
申请日:2024-03-21
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07C209/60 , C07C211/54 , C07D493/06 , C01B32/154 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/46 , C23C14/12
Abstract: 本申请实施例提出一种分子二聚体的制备方法,包括:步骤S1:在金属材料表面上生成单原子层,形成纳米网络;和步骤S2:将目标分子吸附在所述纳米网络上,并利用设计的分子间电子转移机制,以形成所述分子二聚体。本发明实施例提供的一种分子二聚体的制备方法能够简易且高效地实现分子二聚体的制备。本申请实施例还提供一种分子二聚体。
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公开(公告)号:CN117228628A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311211574.9
申请日:2023-09-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B3/00 , H01M8/04089 , H01M8/04082
Abstract: 本发明涉及基于金属有机框架的固体储氢材料及其制备方法和应用,属于氢气储存技术领域。基于金属有机框架的固体储氢材料,该固体储氢材料包括氨硼烷和金属有机框架材料;所述金属有机框架材料为MOF‑74(Mg)、MOF‑74(Ni)、MOF‑74(Zn)、MOF‑74(Co)、UiO‑66、UiO‑66‑NH2中的任一种。本发明使用金属有机框架材料作为纳米限域材料,这种材料具有高比表面积,可以有效的改善氨硼烷的脱氢性能;本发明通过选择不用的金属盐合成了不同金属位点的MOF材料,对氨硼烷实现了不同的改善效果。
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公开(公告)号:CN115385065A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202210992374.0
申请日:2022-08-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: B65G47/74
Abstract: 本发明实施例公开了一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统,传样装置包括旋转抵触抓取部和端盖部,且旋转抵触抓取部与端盖部之间通过弹性复位元件组连接,其中,旋转抵触抓取部至少包括自内而外顺次套接且同轴设置的中轴组件、至少一组内套筒组件和外套筒组件;且,至少内套筒组件和外套筒组件中远离端盖部的一端各自形成有与样品托配合的配接口;至少内套筒组件和外套筒组件沿周向方向可自转地设置。实现了在不更换传样装置的前提下,能够针对性适配不同的样品托且能够在操作过程中进行自适应/自动切换,大大降低换件时间和真空环境的构建时间,提高整体的操作效率,降低在更换样品托的前提下的操作成本的效果。
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公开(公告)号:CN112002804A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010910693.3
申请日:2020-09-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请公开了一种高k栅介质材料及其制备方法和应用,所述高k栅介质材料包括硅衬底,衬底表面沉积有栅介质层;栅介质层中含有金属钕和铪。本申请通过在氧气氛围下共溅射钕和铪材料,实现一种高质量掺杂高k栅介质材料的制备。钕元素氧化物具有电荷陷阱少,氧空位密度低,缺陷密度低的有点,但是吸湿性严重;铪元素氧化物具有抗吸湿性,但相对缺陷较多,氧空位密度高,电荷陷阱多,通过以钕为主要占比,铪为次占比的掺杂,得到了一种高质量的钕-铪氧氮化物栅介质材料,并在并五苯有机晶体管上取得了优异性能,拓展了高k栅介质材料的开发与应用前景。
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公开(公告)号:CN120039873A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510139648.5
申请日:2025-02-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , C30B23/02 , C30B29/46 , C01B32/188 , H01F1/00 , H01F41/00
Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性调控方法,包括以下步骤:将所述二维材料形成在基底上,并使得所述二维材料具有局域磁性;和通过对形成在所述基底上的二维材料进行后退火处理,控制所述二维材料的原子空位缺陷,以调控所述二维材料的局域磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性调控方法,通过后退火的方式控制二维材料的原子空位缺陷,从而实现二维材料的原子级精度的磁性调控。
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公开(公告)号:CN108133261A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201710455979.5
申请日:2017-06-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于BP神经网络的汽车胶管芯轴质量评价方法,通过统计每段芯轴表面的不同种类缺陷的大小和数量,为胶管生产用芯轴的合格与否提供依据。包括以下步骤:步骤一、基于机器视觉系统对胶管芯轴的图像进行分析,得出芯轴表面的缺陷种类、大小和数量数据;步骤二、构造人工神经网络,包括神经网络的类型、层数、各层节点数;步骤三、根据步骤一确定的胶管芯轴表面的缺陷种类、大小、数量和芯轴质量情况构造训练样本;步骤四、利用步骤三构造的训练样本训练人工神经网络模型;步骤五、通过步骤四训练的神经网络模型对未知质量状态的芯轴表面进行检测,给出芯轴质量判断结果。
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公开(公告)号:CN107167106A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201710556405.7
申请日:2017-07-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B21/20
CPC classification number: G01B21/20
Abstract: 本发明提出了一种基于最小二乘圆法的胶管扣压质量评定方法及检测装置,采用最小二乘圆法对线性位移传感器测量的数据进行后处理,继而评价胶管扣压件的圆度误差。主要包括以下步骤:步骤1、在空间周向均匀布置八个传感器,计算各传感器测量工位时的坐标;步骤2、计算胶管扣压件截面轮廓的最小二乘圆圆心坐标;步骤3、计算圆度误差。
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公开(公告)号:CN102774871A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201210252126.9
申请日:2012-07-19
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用,属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8,形状为球形,粒径为6~12nm;所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液,通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶;所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控,在整个近红外光区都有较强的吸收,吸收峰在1100-1500nm;且具有良好的导电性,较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高,可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层,可以显著提高空穴传输层的传输能力。
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公开(公告)号:CN120039874A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510142153.8
申请日:2025-02-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , C30B23/02 , C30B29/46 , C01B32/188 , H01F1/00 , H01F41/00
Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性引入方法,包括以下步骤:制备具有台阶结构的基底;和在所述基底上制备二维材料层,以在位于所述基底的台阶结构区域处的所述二维材料层中引入磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性引入方法,通过在台阶型基底上形成二维材料层,使覆盖在台阶处的二维材料层产生应变,从而产生沿台阶方向的均匀磁性,能够保持材料的本征元素构成,制备流程简单,且易于实现。本申请实施例还提供一种磁性结构。
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