公开(公告)号：CN119815890A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411804344.8

申请日：2024-12-09

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 马远骁 ,  戴德 ,  王业亮

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/17 ,  H10D62/80 ,  H10D64/68

Abstract: 本申请实施例提出一种薄膜晶体管，包括栅介质层和沟道层，所述栅介质层设置在所述沟道层的下方，所述栅介质层由高K栅介质制成，所述沟道层由Sn掺杂的GeO2制成。本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过高k栅介质与超宽带隙半导体GeO2相结合，能够增强器件的热稳定性和可靠性，并能够有效地控制沟道层的电荷，显著提升电学性能。本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN119815889A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411804210.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 马远骁 ,  戴德 ,  王业亮

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/17 ,  H10D62/80

Abstract: 本申请实施例提出一种基于超宽带隙半导体GeO2结构的薄膜晶体管，包括栅介质层和沟道层，所述沟道层设置在所述栅介质层的上方，所述沟道层为Sn掺杂非晶GeO2薄膜。本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过Sn掺杂成功实现了非晶GeO2从绝缘体到半导体的转变，能够实现GeO2在高性能和大功率电子器件的应用。本申请实施例还提供一种基于超宽带隙半导体GeO2结构的薄膜晶体管的制备方法。