公开(公告)号：CN120039874A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510142153.8

申请日：2025-02-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张钰 ,  贾亮广 ,  王业亮 ,  张璨 ,  张腾 ,  张全震 ,  曹雄柏

IPC: C01B32/194 ,  C30B23/02 ,  C30B29/46 ,  C01B32/188 ,  H01F1/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性引入方法，包括以下步骤：制备具有台阶结构的基底；和在所述基底上制备二维材料层，以在位于所述基底的台阶结构区域处的所述二维材料层中引入磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性引入方法，通过在台阶型基底上形成二维材料层，使覆盖在台阶处的二维材料层产生应变，从而产生沿台阶方向的均匀磁性，能够保持材料的本征元素构成，制备流程简单，且易于实现。本申请实施例还提供一种磁性结构。

公开(公告)号：CN113140641B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110405178.4

申请日：2021-04-15

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 许自强 ,  刘立巍 ,  王业亮 ,  侯延辉 ,  黄泽平 ,  杨涵 ,  张全震 ,  张腾

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。

公开(公告)号：CN119469937A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411845581.9

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张全震 ,  黄元 ,  王业亮 ,  张腾 ,  詹凌涛 ,  杨慧霞

IPC: G01N1/22 ,  G01N1/42

Abstract: 本申请实施例提出一种用于高原热泉的地下气体收集装置，包括气体收集部、气体冷却部和气体储存部，所述气体收集部用于收集地下气体，并经由所述气体冷却部冷却后，储存至所述气体储存部内，所述气体冷却部由耐高温耐腐蚀材料制成，所述气体冷却部的冷却段呈螺旋状。本申请实施例提供的地下气体收集装置，通过采用由由耐高温耐腐蚀材料制成且呈螺旋状的气体冷却部，从而能够提高地下气体收集装置在高原极端环境下的耐腐蚀性和耐高温性，确保气体收集过程的安全性和可靠性。

公开(公告)号：CN118239846A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410330027.0

申请日：2024-03-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张腾 ,  郝小雨 ,  王业亮 ,  刘立巍 ,  张全震 ,  杨惠霞 ,  王婷婷 ,  李燕

IPC: C07C209/60 ,  C07C211/54 ,  C07D493/06 ,  C01B32/154 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/46 ,  C23C14/12

Abstract: 本申请实施例提出一种分子二聚体的制备方法，包括：步骤S1：在金属材料表面上生成单原子层，形成纳米网络；和步骤S2：将目标分子吸附在所述纳米网络上，并利用设计的分子间电子转移机制，以形成所述分子二聚体。本发明实施例提供的一种分子二聚体的制备方法能够简易且高效地实现分子二聚体的制备。本申请实施例还提供一种分子二聚体。

公开(公告)号：CN116836033A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310721885.3

申请日：2023-06-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张腾 ,  郝小雨 ,  王业亮 ,  刘立巍 ,  张全震 ,  杨慧霞 ,  武旭 ,  张钰 ,  王婷婷 ,  李燕

IPC: C07C1/26 ,  C07C15/14 ,  C07C51/353 ,  C07C63/333 ,  B01J23/46 ,  B01J33/00 ,  C07C13/547 ,  C07B37/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种改进的乌尔曼偶联方法，通过在乌尔曼偶联作用层表面形成保护层，将芳香族卤代物前驱体吸附在形成有保护层的乌尔曼偶联作用层上，热处理发生乌尔曼偶联反应得到具有C‑C共价键的低维纳米结构。该方法通过在乌尔曼偶联作用层表面设置保护层，能避免乌尔曼偶联作用层表面被毒化导致失去反应活性，同时减少生成有机金属配体等副产物，提高了反应产率和产量。

公开(公告)号：CN116403911A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310269326.3

申请日：2023-03-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈瑶瑶 ,  张钰 ,  张全震 ,  刘立巍 ,  王业亮

IPC: H01L21/34 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种制备二维纳米材料同质结和异质结的方法,首先利用分子束外延技术在超润滑基底上生长高质量的单层岛状二维材料，其次利用扫描隧道显微镜的针尖操纵技术,并采用平面拼接和层间堆叠这两种方式中的任意一种方式对二维材料进行处理，以在纳米尺度上实现对同质结和异质结的可控制备。本发明流程简单，能改良现有的同质结和异质结制备方法，获得高质量、无污染、界面原子结构精准可控、层间转角精确可调的二维材料同质结和异质结样品，适于推广应用。

公开(公告)号：CN113140641A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110405178.4

申请日：2021-04-15

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 许自强 ,  刘立巍 ,  王业亮 ,  候延辉 ,  黄泽平 ,  杨涵 ,  张全震 ,  张腾

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。