公开(公告)号：CN114920239A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210505230.8

申请日：2022-05-10

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 韩旭 ,  黄元 ,  张德成 ,  陈辉 ,  许自强 ,  丁鹏飞 ,  戴贇贇 ,  王业亮

IPC: C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C01B19/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。

公开(公告)号：CN120024890A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510191848.5

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王业亮 ,  韩旭 ,  黄元 ,  戴贇贇 ,  颜佳豪 ,  郭子浩 ,  詹凌涛

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/186 ,  C01B32/19 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37

Abstract: 本申请实施例提出一种图案化石墨烯二次谐波生成的方法，包括以下步骤：将石墨烯薄层形成在具有沟槽结构的衬底上；和使用超快激光脉冲激发所述衬底的沟槽结构区域处悬空边缘的石墨烯二次谐波并生成图案化二次谐波。本申请实施例提供的图案化石墨烯二次谐波生成方法，通过超快激光脉冲激发沟槽结构上悬空边缘石墨烯，能够高效且精准地实现图案化二次谐波生成。本申请实施例还提供一种石墨烯结构。

公开(公告)号：CN120024891A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510192124.2

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王业亮 ,  韩旭 ,  黄元 ,  戴贇贇 ,  郭子浩 ,  余钦泽 ,  曹雄柏

IPC: C01B32/194 ,  G02F1/35 ,  C01B32/19 ,  C01B32/186

Abstract: 本申请实施例提出一种增强石墨烯二次谐波的方法，包括以下步骤：将石墨烯薄层形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上；和在所述衬底和与所述石墨烯薄层接触的电极结构之间施加偏置电压，以增强位于所述沟槽结构区域处的所述悬空边缘的石墨烯薄层的二次谐波。本申请实施例提供的增强石墨烯二次谐波的方法，通过电场控制悬空边缘石墨烯的应变，能够高效且显著地提升石墨烯的二次谐波的强度。本申请实施例还提供一种石墨烯结构。

公开(公告)号：CN115663060A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210554680.6

申请日：2022-05-19

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 戴贇贇 ,  黄元 ,  韩旭 ,  张德成 ,  王业亮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  G01N21/35

Abstract: 本发明提供了一种利用二维材料的非线性光学效应增强红外光探测的方法，是先加工制备基于二维材料的光电探测器件，然后对制备好的光电探测器件进行基本物性表征，接着表征光电探测器件的二维材料的非线性光学性质，再表征利用非线性光学效应实现红外光电探测的性能，最后通过电场调控和多层堆叠调控来提升光电探测器件的探测灵敏度。本发明构思合理、操作简单，采用二维材料制备光电探测器件，非线性过程不受到波矢匹配限制条件的制约，应用范围更广，能克服红外光电探测领域因带隙限制导致的材料选择极其有限的技术困境。

公开(公告)号：CN118380327A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410370638.8

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 黄元 ,  韩旭 ,  戴贇贇 ,  王业亮

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/683

Abstract: 本申请实施例提出一种金属电极的转移方法，包括：步骤S1：在所述电极图案上蒸镀金属，并进行脱附处理，得到金属电极部，所述金属电极部包括基底，所述金属电极形成在所述基底上；步骤S2：在所述金属电极表面旋涂有机溶液，并进行烘干处理，形成有机薄膜层；步骤S3：在所述有机薄膜层上方覆盖支撑层，并进行蒸汽处理；步骤S4：从所述金属电极部上分离所述基底，并将所述金属电极部转移至目标基底上；和步骤S5：将所述有机薄膜层和所述支撑层进行脱附处理。本发明实施例提供的一种金属电极的转移方法能够简单高效、无污染且大尺寸地转移金属电极。

公开(公告)号：CN114920239B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210505230.8

申请日：2022-05-10

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 韩旭 ,  黄元 ,  张德成 ,  陈辉 ,  许自强 ,  丁鹏飞 ,  戴贇贇 ,  王业亮

IPC: C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C01B19/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。

公开(公告)号：CN120018339A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510191858.9

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王业亮 ,  韩旭 ,  黄元 ,  戴贇贇 ,  郭子浩 ,  杨诗其 ,  曹雄柏

IPC: H05B33/14 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  F21V9/14 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06

Abstract: 本申请实施例提出一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源制备方法，包括以下步骤：将石墨烯纳米卷形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上；使得悬空的所述石墨烯纳米卷横跨所述衬底的沟槽结构，并与所述沟槽结构两侧的电极结构接触；在与所述石墨烯纳米卷接触的电极结构之间施加偏置电压，以使得悬空的所述石墨烯纳米卷发光；和在所述石墨烯纳米卷的光路上放置偏振片，以制备基于所述石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例提供的基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源的制备方法，能够在高效且精准地制备基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。本申请实施例还提供一种基于石墨烯纳米卷的偏振纳米光源。

公开(公告)号：CN119492593A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411595807.4

申请日：2024-11-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 黄元 ,  韩旭 ,  戴贇贇 ,  颜佳豪 ,  杨诗其 ,  郭子浩 ,  王业亮

IPC: G01N1/28 ,  C23C16/01 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C08J9/00 ,  C08L33/12

Abstract: 本申请实施例提出一种悬空低维材料的制备方法，包括以下步骤：制备带有支撑材料层和有机薄膜层的低维材料；将带有所述支撑材料层和所述有机薄膜层的所述低维材料转移至悬空结构上；和剥离所述支撑材料层，以制备所述悬空低维材料。本发明实施例提供的悬空低维材料的制备方法能够能够高效、无污染且可控地制备悬空样品，并适用于透射电子显微镜、拉曼光谱及非线性光学等测试。本申请实施例还提供一种悬空低维材料。