公开(公告)号：CN113597671A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202080021731.8

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西畑雅由 ,  吉川正太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备：负极金属板(40)，与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30)，在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70)，在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接，发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接，发射极电极与输出金属板电连接，并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。

公开(公告)号：CN117995829A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311425654.4

申请日：2023-10-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野敬洋 ,  西畑雅由 ,  加藤千拓

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02M7/797

Abstract: 第一配线(50)具有散热器(51)和正极端子(52)。第二配线(60)具有在Y方向上与散热器(51)排列配置的散热器(61)和输出端子(62)。第三配线(80)具有接线件(81)和负极端子(82)。半导体元件(40H)配置于散热器(51)，漏极电极(40D)连接于散热器(51)。半导体元件(40L)配置于散热器(61)，漏极电极(40D)连接于散热器(61)。接线件(70)将半导体元件(40H)的源极电极(40S)与散热器(61)连接。第三配线(80)的接线件(81)连接于半导体元件(40L)的源极电极(40S)。第三配线(80)与第一配线(50)及接线件(70)并行。

公开(公告)号：CN113597671B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202080021731.8

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西畑雅由 ,  吉川正太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备：负极金属板(40)，与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30)，在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70)，在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接，发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接，发射极电极与输出金属板电连接，并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。

公开(公告)号：CN116636004A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086142.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西畑雅由

IPC: H01L25/07

Abstract: 具有：半导体基板(200)，具备主面(200a)、设于主面的第1区域(281)的电极(210)、设于主面的与第1区域不同的第2区域(283)的耐压构造部(230)、以及设于主面的第1区域与第2区域之间的第3区域(282)的中间部(270)；焊料(310)，设于电极；以及金属制的接线部(400)，设于焊料，具备不被焊料浸润的非浸润部(420)；中间部与电极相比难以被焊料浸润；中间部的沿着主面并且第1区域与第2区域所排列的排列方向上的长度比非浸润部的排列方向上的长度长。

公开(公告)号：CN101996957B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010258186.2

申请日：2010-08-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福冈大辅 ,  手岛孝纪 ,  真光邦明 ,  坂本健 ,  富坂学 ,  藤井哲夫 ,  田井明 ,  赤松和夫 ,  西畑雅由

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L24/01 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。

公开(公告)号：CN102315181A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185855.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真光邦明 ,  金子高久 ,  殿本雅也 ,  西畑雅由 ,  和户弘幸 ,  则武千景 ,  野村英司 ,  伊藤俊树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/46 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。