公开(公告)号：CN102315181B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110185855.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真光邦明 ,  金子高久 ,  殿本雅也 ,  西畑雅由 ,  和户弘幸 ,  则武千景 ,  野村英司 ,  伊藤俊树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/46 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。

公开(公告)号：CN1267990C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02127066.X

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野尚彦 ,  手孝纪 ,  中濑好美 ,  八木贤次 ,  大仓康嗣 ,  真光邦明 ,  野村和仁 ,  福田丰 ,  铃木干昌 ,  则武千景

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L21/565 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。

公开(公告)号：CN1267970C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02155731.4

申请日：2002-12-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木干昌 ,  则武千景

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02035 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66348

Abstract: 利用以下步骤制造一种具有较低接通电阻的半导体器件。首先，形成晶片，该晶片包括一个半导体层以及一个位于半导体层上的半导体元件层。随后，从设有半导体层的侧面均匀地磨削晶片，以达到预定的厚度。接着，从设有半导体层的侧面蚀刻晶片，以达到预定的厚度，同时，掩蔽晶片的周边，使其与蚀刻剂隔离，以在周边处形成一个边缘。通过位于周边处的边缘加强晶片，因此即使晶片较大，也能够在通过蚀刻使晶片变薄之后的后续步骤中防止晶片破裂或翘曲。

公开(公告)号：CN1426093A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02155731.4

申请日：2002-12-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木干昌 ,  则武千景

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02035 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66348

Abstract: 利用以下步骤制造一种具有较低接通电阻的半导体器件。首先，形成晶片，该晶片包括一个半导体层以及一个位于半导体层上的半导体元件层。随后，从设有半导体层的侧面均匀地磨削晶片，以达到预定的厚度。接着，从设有半导体层的侧面蚀刻晶片，以达到预定的厚度，同时，掩蔽晶片的周边，使其与蚀刻剂隔离，以在周边处形成一个边缘。通过位于周边处的边缘加强晶片，因此即使晶片较大，也能够在通过蚀刻使晶片变薄之后的后续步骤中防止晶片破裂或翘曲。

公开(公告)号：CN102299117B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110185015.6

申请日：2011-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 则武千景 ,  新井裕明 ,  山内芳幸 ,  山崎康樱 ,  杉本尚规 ,  酒井泰幸

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/473 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/4093 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体模块及其生产方法，该半导体模块包括由树脂模型制成的半导体单元。树脂模型在其中形成冷却剂通路，冷却剂通过其流动以冷却嵌入在树脂模型中的半导体芯片。树脂模型还包括散热器以及嵌入在树脂模型中的电气接线端子。每个散热器具有暴露于冷却剂的流动的鳍热沉。鳍热沉通过绝缘体被熔接到每个散热器的表面，因此使从散热器到冷却剂的漏电最小。

公开(公告)号：CN1747162A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099909.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 粥川君治 ,  棚桥昭 ,  则武千景 ,  三浦昭二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(1、1p)；基底部件(2)；锡基焊料层(S)；第一金属层(M)；和第一合金层(T1)。依次经由第一金属层(M)、第一合金层(T1)和锡基焊料层(S)，将半导体衬底(1、1p)接合到基底部件(2)上。第一合金层(T1)由第一金属层(M)中的第一金属和锡基焊料层(S)中的锡制成。第一金属层(M)由选自由钛、铝、铁、钼、铬、钒和铁－镍－铬合金构成的组中的至少一种材料制成。

公开(公告)号：CN102299079B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110173760.9

申请日：2011-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 则武千景 ,  荒井毅 ,  平岩尚树

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供制造包括树脂模制封装体和冷却剂通路的半导体模块的方法。所述树脂模制封装体由热固性树脂制成的模件和热塑性树脂制成的模件构成。树脂模制封装体通过制造热塑性树脂制成的模件、放置热塑性树脂制成的模件和由功率半导体芯片、散热器、端子等构成的半导体子装配件，然后形成热固性树脂制成的模件形成。具体而言，热固性树脂制成的模件在热塑性树脂制成的模件之后形成，从而在热固性树脂制成的模件完全硬化之前产生热固性树脂制成的模件对热塑性树脂制成的模件的高度粘合，以在热固性树脂制成的模件和热塑性树脂制成的模件之间牢固形成粘合界面。这使得粘合界面产生气隙的风险最小化并避免冷却剂泄漏到树脂模制封装体之外。

公开(公告)号：CN102315181A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185855.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真光邦明 ,  金子高久 ,  殿本雅也 ,  西畑雅由 ,  和户弘幸 ,  则武千景 ,  野村英司 ,  伊藤俊树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/46 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。

公开(公告)号：CN102299117A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110185015.6

申请日：2011-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 则武千景 ,  新井裕明 ,  山内芳幸 ,  山崎康樱 ,  杉本尚规 ,  酒井泰幸

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/473 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/4093 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体模块及其生产方法，该半导体模块包括由树脂模型制成的半导体单元。树脂模型在其中形成冷却剂通路，冷却剂通过其流动以冷却嵌入在树脂模型中的半导体芯片。树脂模型还包括散热器以及嵌入在树脂模型中的电气接线端子。每个散热器具有暴露于冷却剂的流动的鳍热沉。鳍热沉通过绝缘体被熔接到每个散热器的表面，因此使从散热器到冷却剂的漏电最小。

公开(公告)号：CN102299079A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110173760.9

申请日：2011-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 则武千景 ,  荒井毅 ,  平岩尚树

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供制造包括树脂模制封装体和冷却剂通路的半导体模块的方法。所述树脂模制封装体由热固性树脂制成的模件和热塑性树脂制成的模件构成。树脂模制封装体通过制造热塑性树脂制成的模件、放置热塑性树脂制成的模件和由功率半导体芯片、散热器、端子等构成的半导体子装配件，然后形成热固性树脂制成的模件形成。具体而言，热固性树脂制成的模件在热塑性树脂制成的模件之后形成，从而在热固性树脂制成的模件完全硬化之前产生热固性树脂制成的模件对热塑性树脂制成的模件的高度粘合，以在热固性树脂制成的模件和热塑性树脂制成的模件之间牢固形成粘合界面。这使得粘合界面产生气隙的风险最小化并避免冷却剂泄漏到树脂模制封装体之外。