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公开(公告)号：CN102315181B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110185855.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L23/427 , H01L23/4334 , H01L23/46 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/06181 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1517 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。
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公开(公告)号：CN107004662B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580066323.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。
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公开(公告)号：CN107004662A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066323.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。
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公开(公告)号：CN102315181A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110185855.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L23/427 , H01L23/4334 , H01L23/46 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/06181 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1517 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。
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