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公开(公告)号：CN108922947B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810722927.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。
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公开(公告)号：CN110164757A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910468088.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种化合物半导体及其外延方法，该外延方法包括：调节金属有机源与非金属族源进入反应室的速率比，从而在衬底上生长所述化合物半导体的第一材料层，第一材料层由所述金属有机源中的金属和非金属族源中的非金属组成的。利用本发明的外延方法，可以大大降低生长化合物半导体材料时不同反应源在输运到衬底反应之前的预反应，提高了源的利用效率，提高生长速率，同时由于预反应小，产生的络合物杂质减小，提高了材料质量，降低高温生长的缺陷密度，表面平整。
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公开(公告)号：CN110098297A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810088072.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法，所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法，包括：在基本衬底的正面形成保护层，并在所述基本衬底的背面形成掩膜层；将所述掩膜层图形化，形成掩膜图形；刻蚀所述基本衬底的背面，将所述掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，形成图形化结构层；去除残留的所述掩膜层和所述保护层，形成图形化衬底。本发明可在有效提高LED光提取效率的同时，避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤，降低流片工艺复杂程度。
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公开(公告)号：CN109585270A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811362745.7
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。
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公开(公告)号：CN108878604A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810726543.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943737B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410181967.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离，消除了工艺工程中对有源区造成损伤的风险，提高了紫外发光二极管器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103943737A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410181967.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离，消除了工艺工程中对有源区造成损伤的风险，提高了紫外发光二极管器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103887385A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103701037A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310637212.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
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公开(公告)号：CN103236479A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141880.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波；第二腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波；其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道，电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器，分别连接到该第一腔和第二腔，分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波。
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