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公开(公告)号:CN108198925A
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:CN201711485762.5
申请日:2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法,其包括以下步骤:步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO,并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理;步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理;步骤3、化学腐蚀之后,对外延片的表面进行等离子体轰击处理;步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。根据本发明的制备方法制备的反射镜的结构自下而上包括:外延片,ITO层,金属层。本发明可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触,达到提高芯片出光效率的效果。本发明具有制备工艺条件易控制,步骤操作简单,成本低、易于大规模生产等优点。
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公开(公告)号:CN109585270B
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN201811362745.7
申请日:2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构,该方法包括以下步骤:在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅,通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔,对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀,将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉,露出衬底部分;再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模,在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量,促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展,有利于推动产业进步。
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公开(公告)号:CN109585270A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811362745.7
申请日:2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构,该方法包括以下步骤:在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅,通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔,对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀,将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉,露出衬底部分;再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模,在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量,促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展,有利于推动产业进步。
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公开(公告)号:CN209500547U
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201820819530.2
申请日:2018-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61N5/06
Abstract: 本实用新型提供一种柔性折叠的LED光动力治疗仪,其包括:一柔性折叠的面罩;一LED光疗仪器,其贴附于柔性折叠的面罩的一面;一电源,其与LED光疗仪器连接;其中该LED光疗仪器包括多个LED芯片,该多个LED芯片间是通过导线互联,该多个LED芯片的连接方式为非线性,非线性是指波浪形、折纸形或曲折形;该多个LED芯片为红光LED、蓝光LED、绿光LED、红外LED,上述颜色LED芯片光谱半高宽范围是5-20nm。本实用新型改进了发光芯片的性能,将设备设计成可折叠形状,方便携带,同时柔性可弯曲,使治疗佩戴时具有舒适性。
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