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公开(公告)号：CN108231652B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201711477940.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置，其包括：清洗凹槽、拖铲，粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方；拖铲用于移取薄片材料；其中，拖铲包括：拖铲手柄、插棍，插棍用于移取时托住薄片材料。本发明可以大大降低薄片材料在解离和转移时受到的应力作用，极大地降低碎片率；本发明设计简单、制备成本低、操作方便、可视具体情况优化并灵活改进。
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公开(公告)号：CN116526298A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551421.2
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，第四区域的有源层构成第二激光器；无源层，形成在衬底上，无源层的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域；光栅，设置于无源层上；其中，第五区域的无源层和光栅构成第一前光栅，第六区域的无源层和光栅构成第二前光栅，第七区域的无源层和光栅构成后光栅；其中，第一调制器、第一激光器以及第一前光栅与第二调制器、第二激光器以及第二前光栅通过共用后光栅实现双端发射激光。
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公开(公告)号：CN114142339A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111450832.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种集成器件及其制备方法，集成器件包括：衬底；调制器区和激光器区，调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置；其中，调制器区上设有深脊波导，激光器区上设有浅脊波导；过渡区，形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光器区接触；过渡区的宽度沿激光器区指向调制器区方向上逐渐变小，以用于导引激光器区发射的激光进入调制器区。本发明通过激光器和调制器之间采用锥形结构过渡，实现了电吸收调制器的深脊波导用来降低电容，又满足了激光器区的浅脊波导保证激光器的性能，同时过渡区的锥形结构，降低了激光器和调制器的损耗，进而达到了高速率分布反馈激光器与电吸收调制器的单片集成。
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公开(公告)号：CN105428997B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201511019962.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器，包括：衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层，其中在所述外延层的部分区域从p型接触层向下刻蚀至p型盖层，形成一中间高、两边低的脊型波导结构，所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟；TiAu电极制作于所述脊型波导上方，覆盖整个凸起的脊型波导，该TiAu电极在所述隔离沟处整体断开，分为两段电极。本发明的多段式FP激光器采用复合腔选模机制，无需光栅制作就可实现单纵模且波长可调谐的激光输出，降低了工艺的复杂性，同时保证了成品率和出光功率。
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公开(公告)号：CN109116371A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810811386.2
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S17/58
Abstract: 本发明公开了一种基于双波长半导体激光器的多普勒测速雷达，属于多普勒测速雷达领域，该测速雷达包括：放大反馈激光器，光纤放大器，三端口环形器，光纤连接器，光学收发天线，光电探测器，数据采集器，射频信号源。本发明利用放大反馈激光器产生的双波长光信号来检测移动目标的速度，将对激光器线宽的要求转移到对双模拍频微波信号线宽上来，降低了多普勒雷达系统对激光器线宽的要求，提高了测量精度，降低了系统的成本；此外，本发明利用光纤端面的反射光作为参考光，参考光与信号光在同一段光纤路径中传输，光纤扰动带来的共模噪声可以通过平衡探测的方式去除，与采用不同光纤路径的相干接收方式相比，具有更好的抗干扰性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108493768A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810314483.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。
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公开(公告)号：CN105388564B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510882626.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于MMI耦合器的少模光子集成发射芯片。该少模光子集成发射芯片包括：激光器，用于产生单纵模基横模的激光；功率分配器，位于所述激光器的光路后端，用于将激光器产生的激光分为两路；调制器组，位于所述功率分配器的光路后端，包括两调制器，用于分别对功率分配器分出的两路激光进行调制；模式转换‑复用器，位于所述调制器组的光路后端，用于实现调制后的两路激光的模式转换和复用；其中，所述功率分配器和模式转换‑复用器基于MMI耦合器实现。本发明使用1×1MMI耦合器作为模式转换‑复用器中的π/2相移器，相移器的设计和制作都较为简单，易于实现，同时增加了集成度并降低了设计和工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN107727365A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710880114.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用反射谱精细度测量光波导损耗的系统，测量系统包括：一可调谐激光器，用于产生波长可调谐的激光；一光路环形装置，将可调谐激光器输出的光信号导入耦合装置并将耦合装置所收集的反射光导入光电探测器；一耦合装置，用于实现环形装置和待测波导之间的耦合；一光电探测器，将收集到的光功率转换成光电流，并输出至计算机。一控制计算机，用于控制可调谐激光器的波长变化，并采集来自光电探测器的光电流信号；一待测波导，用于进行损耗测量。本测量方法通过测量波导F-P干涉反射谱的精细度，进而计算获得波导的实际损耗，系统结构简单，操作简便，精度高，可广泛应用于集成光学领域。
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公开(公告)号：CN104377544B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410709708.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。
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公开(公告)号：CN103257509B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310127562.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F2/00
Abstract: 本发明公开了一种选区外延单片集成的波长转换器及其制作方法。该选区外延单片集成的波长转换器报考分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM、光探测器PD和光放大器SOA四个子器件；其中，所述SOA与PD之间由一段波导连接，组成SOA?PD功能区，该SOA?PD功能区中，所述SOA用于将一定波长的入射光放大，所述PD用于将放大后的入射光转换为光电流信号；所述DFB激光器与EAM之间由一段波导连接，组成电调谐激光器EML功能区；该EML功能区中，所述EAM用于将所述电流信号转换成的电压信号调制在所述DFB激光器提供的激光上，进而实现将一定波长的入射光转成为DFB激光器波长的出射光。
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