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公开(公告)号：CN108896596A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811086081.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体，所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段，所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联，且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号，降低被测信号受到的干扰，从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN106356269B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN107027236A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710405958.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了中子发生器，包括绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。
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公开(公告)号：CN104202897B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN104944375B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510291419.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C01B6/02
Abstract: 本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915305B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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公开(公告)号：CN103984002A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410172550.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统和方法，涉及高能物理技术，本发明的系统包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本发明的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H+束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
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公开(公告)号：CN107739859B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711026835.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢无裂纹锆钛铜合金电极源片的制备工艺，(a)采用金属钛、金属锆和金属铜作为原料，根据原料的配比，采用水冷铜坩埚电磁感应真空悬浮熔炼的方法制备锆钛铜合金；(b)将步骤(a)得到的锆钛铜合金锭加工成一定形状和尺寸的样品，并对其表面进行一系列预处理；(c)将步骤(b)得到的锆钛铜合金样品进行吸氢反应，制备出成品。本发明的将从更为本质的材料本身着手，重点研制一种性能优良的合金材料，这种合金材料能够在吸氢过程中，通过某些微量元素的钉扎作用，减少因氢化作用产生的体涨和氢脆效应。
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公开(公告)号：CN106544628B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710017958.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法，首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理；其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内，并用氩离子轰击衬底表面，溅射掉衬底表面的氧化层；第三，设置衬底的镀膜温度，真空腔内通入高纯氘气，启动镀膜机，直接制备形成含氘金属薄膜，第四，关闭镀膜机，但继续向真空腔室内通入氘气，直至腔体内达到合适的气压才关闭氘气流量计。本发明提高了含氘金属薄膜靶的力学性能，有效控制了脆性、裂纹的发生，增加了靶膜的附着力；同时降低了表面死层厚度，提高靶膜纯度，提高了中子发生器的中子产额，延长了靶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108896594A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。
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