公开(公告)号：CN100435288C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610159243.5

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸=0.5～40%∶5～50%∶5～70%的混合比例含有的水溶液。

公开(公告)号：CN100411110C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200480012603.8

申请日：2004-05-11

Applicant: 株式会社上睦可 ,  学校法人汉阳学院

Inventor： 朴在勤 ,  加藤健夫 ,  李元模 ,  姜贤求 ,  金成准 ,  白云揆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。

公开(公告)号：CN101223641A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200580051051.6

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/26533 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明涉及可以将器件步骤中的重金属污染有效地捕获在基板内部的SIMOX基板的制造方法，其包含向晶片内部注入氧离子的步骤；和在规定气体气氛中、在1300－1390℃下对晶片实施第1热处理而形成埋氧层，同时在晶片表面形成SOI层的步骤；其中注入氧离子之前的晶片具有8×1017－1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，埋氧层在晶片上整面形成，并包含在规定气体气氛中，将经第1热处理的晶片在400－900℃下进行1－96小时的第2热处理，在比在埋氧层紧邻下方形成的缺陷聚集层更下方的体层中形成氧析出核的步骤；和在规定气体气氛中，将经第2热处理的晶片在比第2热处理温度高的900－1250℃下进行1－96小时的第3热处理，使形成的氧析出核生长为氧析出物的步骤。

公开(公告)号：CN101114574A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710136924.4

申请日：2007-07-23

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 池田安伸 ,  富田真一 ,  宫原浩幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256

Abstract: 通过以粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，并以粘贴界面上封闭有所述有机物的状态进行粘接强化热处理，制成粘贴界面上形成有结晶缺陷的粘贴SOI晶片，由此可以使SOI层和绝缘体层(氧化膜)的界面上形成简单且廉价的吸杂源。另外，通过该方法制造的本发明的粘贴SOI晶片，可以有效地去除对元器件特性和氧化膜耐压特性造成不良影响的重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的粘贴SOI晶片，作为具有优良元器件特性的SOI晶片或其制造方法得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101071767A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710101162.4

申请日：2007-05-09

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 村上贤史 ,  森本信之 ,  西畑秀树 ,  远藤昭彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。

公开(公告)号：CN101010805A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580025113.6

申请日：2005-05-19

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 足立尚志

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明可以有效地将因离子注入或高温热处理而产生的重金属污染捕获到体层内部。该方法包含向晶片11内部注入氧离子的步骤；在规定的气体气氛中，将晶片在1300－1390℃进行第1热处理，形成埋入氧化物层12，同时形成SOI层13的步骤，其中氧离子注入前的晶片具有9×1017－1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，埋入氧化物层在晶片总体上或局部地形成，并且在氧离子注入步骤前或在氧离子注入步骤和第1热处理步骤之间包含用于在晶片内部形成氧析出核14b的第2热处理步骤和用于使在晶片内部形成的氧析出核14b生长为氧析出物14c的第3热处理步骤。

公开(公告)号：CN1913102A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610159241.6

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 奥内茂 ,  远藤光弘 ,  田中智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  B08B3/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D1/66 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明为硅晶片的洗涤方法，其包括将表面的镜面抛光加工完毕的硅晶片浸渍在非离子型表面活性剂水溶液中的第一洗涤工序、将完成了第一洗涤工序的晶片浸渍在溶解臭氧水溶液中的第二洗涤工序、将完成了第二洗涤工序的硅晶片浸渍在含有氨和过氧化氢的水溶液中的第三洗涤工序，并且前述各工序连续进行。

公开(公告)号：CN1871698A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031061.9

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 栗田一成 ,  定光信介 ,  高尾浩之 ,  宝来正隆

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76243

Abstract: 本发明提供一种高电阻硅晶片的制造方法。根据本发明的高电阻硅晶片的制造方法，通过使用利用CZ法得到的电阻高并且含有碳的硅晶片，组合进行利用升温操作(lumping)的第1热处理、由高温热处理及中温热处理构成的第2热处理，就可以有效地抑制氧给体的生成，即使在设备制造的工序中的热处理后，也可以维持高电阻，可以获得抑制了电阻率的变动的高电阻硅晶片。另外，由于如果使用该高电阻硅晶片，则可以制造优良的外延晶片及SOI晶片，因此可以在高频通信设备或模拟、数字混载设备等广泛的领域中使用。

公开(公告)号：CN1784771A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012603.8

申请日：2004-05-11

Applicant: 株式会社上睦可 ,  学校法人汉阳学院

Inventor： 朴在勤 ,  加藤健夫 ,  李元模 ,  姜贤求 ,  金成准 ,  白云揆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。

公开(公告)号：CN1924116B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610121923.8

申请日：2006-08-28

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 井上和俊 ,  和田直之

IPC: C30B25/12 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C30B29/06 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68707

Abstract: 一种制造硅晶片的方法，它利用具有只能安装晶片规定区域——包括其后面的中心位置——的安装面的传送片，将(100)面硅晶片传送到单晶片热处理装置或气相生长装置的处理炉中或从炉中传出，使晶片经受热处理或气相生长，其中 或 取向相对于传送片安装面的横向方向偏移一预定角度。