公开(公告)号：CN101114574A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710136924.4

申请日：2007-07-23

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 池田安伸 ,  富田真一 ,  宫原浩幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256

Abstract: 通过以粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，并以粘贴界面上封闭有所述有机物的状态进行粘接强化热处理，制成粘贴界面上形成有结晶缺陷的粘贴SOI晶片，由此可以使SOI层和绝缘体层(氧化膜)的界面上形成简单且廉价的吸杂源。另外，通过该方法制造的本发明的粘贴SOI晶片，可以有效地去除对元器件特性和氧化膜耐压特性造成不良影响的重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的粘贴SOI晶片，作为具有优良元器件特性的SOI晶片或其制造方法得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101114574B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200710136924.4

申请日：2007-07-23

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 池田安伸 ,  富田真一 ,  宫原浩幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256

Abstract: 通过以粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，并以粘贴界面上封闭有所述有机物的状态进行粘接强化热处理，制成粘贴界面上形成有结晶缺陷的粘贴SOI晶片，由此可以使SOI层和绝缘体层(氧化膜)的界面上形成简单且廉价的吸杂源。另外，通过该方法制造的本发明的粘贴SOI晶片，可以有效地去除对元器件特性和氧化膜耐压特性造成不良影响的重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的粘贴SOI晶片，作为具有优良元器件特性的SOI晶片或其制造方法得到广泛应用。