公开(公告)号：CN100423190C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200610159241.6

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 奥内茂 ,  远藤光弘 ,  田中智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  B08B3/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D1/66 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明为硅晶片的洗涤方法，其包括将表面的镜面抛光加工完毕的硅晶片浸渍在非离子型表面活性剂水溶液中的第一洗涤工序、将完成了第一洗涤工序的晶片浸渍在溶解臭氧水溶液中的第二洗涤工序、将完成了第二洗涤工序的硅晶片浸渍在含有氨和过氧化氢的水溶液中的第三洗涤工序，并且前述各工序连续进行。

公开(公告)号：CN1913102A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610159241.6

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 奥内茂 ,  远藤光弘 ,  田中智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  B08B3/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D1/66 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明为硅晶片的洗涤方法，其包括将表面的镜面抛光加工完毕的硅晶片浸渍在非离子型表面活性剂水溶液中的第一洗涤工序、将完成了第一洗涤工序的晶片浸渍在溶解臭氧水溶液中的第二洗涤工序、将完成了第二洗涤工序的硅晶片浸渍在含有氨和过氧化氢的水溶液中的第三洗涤工序，并且前述各工序连续进行。