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公开(公告)号：CN101071767A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710101162.4
申请日：2007-05-09
Applicant: 株式会社上睦可
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
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