公开(公告)号：CN108701609A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014745.5

申请日：2017-03-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴山宣之 ,  林昌之 ,  阿野诚士 ,  江户彻

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种基板处理方法，包含：含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤，从喷嘴对保持在基板保持单元的基板的一个主面，喷出在氢氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氢氟酸溶液；以及刷清洗步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤后、或与上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤并行，使清洗刷抵接上述基板的上述一个主面而对该一个主面进行清洗。

公开(公告)号：CN108701607A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014125.1

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 冲田展彬 ,  筱原敬

IPC: H01L21/304 ,  G03F1/82

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B3/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/673

Abstract: 基板处理装置(1)，其中，包含：基板保持旋转机构(41)，其将基板(W)保持为水平姿势，且使上述基板(W)围绕通过上述基板(W)的主面的铅垂的旋转轴线(AX)旋转；刷子(30)，其抵接于由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面并对上述基板(W)的上述主面进行清洗；第一喷嘴(10)，其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面喷出处理液；以及第二喷嘴(20)，其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面中的下游邻接区域(DR)喷出处理液，上述下游邻接区域(DR)从上述基板(W)的旋转方向的下游侧邻接于上述刷子(30)抵接于上述基板(W)的上述主面的抵接区域(AR)。

公开(公告)号：CN108666237A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810227597.1

申请日：2018-03-20

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  藤井定

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/022 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68764

Abstract: 在覆盖基板的整个上表面的低表面张力液体的液膜上形成孔，基板的上表面中央部露出。低表面张力液体的液膜的孔扩展到基板的外周。在低表面张力液体的液膜上形成孔前停止喷出温水。在从基板的上表面排出低表面张力液体的液膜后，再次向基板的下表面供给温水。在停止喷出温水后，甩掉在基板上附着的液体。

公开(公告)号：CN108417477A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810203165.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 斯克林集团公司

Inventor： 小林健司 ,  奥谷学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/022 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。

公开(公告)号：CN108335996A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810039204.4

申请日：2018-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福井祥吾 ,  内田范臣 ,  小原隆宪 ,  篠原英隆 ,  锦户修一 ,  浦智仁 ,  元山祐弥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B17/025 ,  B08B1/002 ,  B08B1/02 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B5/023 ,  B08B7/04 ,  F26B3/04 ,  F26B5/08 ,  F26B21/14 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/02057

Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时，控制部(18)先使处理液供给机构(73)对基板的上表面的处理液的供给结束，之后使处理液供给机构(71)对基板的下表面的处理液的供给结束。

公开(公告)号：CN108253733A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201710078029.5

申请日：2017-02-14

Applicant: 得八益十意恩至

Inventor： 尹沧老 ,  崔奉镇

IPC: F26B5/04 ,  F26B21/00

CPC classification number: C23C14/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67739 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/56 ,  F26B5/042 ,  F26B21/001

Abstract: 本发明的减压干燥方法包括步骤：将待处理对象装载到干燥室；关闭干燥室；将干燥气体提供到干燥室，同时通过低于大气压的第一减压压力第一次将干燥室内部排气和减压；当清洗溶液完全被凝结在待处理对象表面的干燥气体替代时，停止提供干燥气体；第二次将干燥室的内部排气和减压；停止第二次排气和减压步骤，并将空气或惰性气体提供到干燥室；从干燥室卸载待处理对象。

公开(公告)号：CN105428210B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510593168.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿门·阿沃扬 ,  肯尼特·贝隆

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B08B3/08 ,  C23C16/4407 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02054

Abstract: 本发明涉及用于清洁等离子体工艺室部件的湿法清洁工艺。一种用于清洁等离子体工艺室部件的系统和方法，包括：从所述等离子体工艺室拆除部件，所拆除的所述部件包括沉积在所述部件的表面上的材料。将加热的氧化剂溶液施加到沉积在所述部件上的所述材料中，以氧化第一部分沉积材料。将剥离溶液施加到部件中，以去除所述沉积材料的被氧化的第一部分。施加蚀刻溶液，以去除所述沉积材料的第二部分，所述清洁的部件可以被冲洗和干燥。

公开(公告)号：CN104995277B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480008802.5

申请日：2014-02-10

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  浅田真希 ,  须贺裕介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 提供一种包含磨粒、水溶性聚合物和水的研磨用组合物。上述研磨用组合物在上述磨粒的含量为0.2质量％的浓度时，利用动态光散射法测定的上述研磨用组合物中含有的颗粒的体积平均粒径DA为20nm～60nm。

公开(公告)号：CN107887300A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710879504.9

申请日：2017-09-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 长岛裕次 ,  林航之介

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B5/02 ,  F26B3/30 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67034

Abstract: 提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。

公开(公告)号：CN107658246A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710735168.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司

Inventor： 古元甲 ,  刘晓伟 ,  刘涛 ,  刘琦 ,  刘沛然 ,  孙昊 ,  孙毅 ,  田志民 ,  杨旭洲 ,  辛超 ,  赵朋占 ,  李伟 ,  秦焱泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种太阳能硅片清洗工艺，包括预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗，将硅片表面的油污清洗干净；第一次漂洗，清除硅片上的药液；化学液清洗，将有机物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面清洗剂和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均匀。本发明的有益效果是提高了漂洗效果，降低清洗脏片率，提高产品的质量、节约成本。