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公开(公告)号：CN112652620A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011527813.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构,包括：壳体，上下设置的第一纳米电容和第二纳米电容，所述壳体具有二个间隔设置第一通孔；导电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接。本发明通过将电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接，实现了第一纳米电容和第二纳米电容并联设置，增大了电容密度，提高了电容的整体性能。另外，本发明还提供了三维集成结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN109148594B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810778756.7
申请日：2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃下，生长IGZO沟道层；步骤5，对步骤4所得的器件进行紫外曝光、刻蚀形成沟道；步骤6，进行第二次光刻，蒸镀源漏电极，去光刻胶，无需进行退火处理，得到底栅型高性能薄膜晶体管。本发明提供了高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺，并且该薄膜晶体管具有对不同波长光的响应能力可用于柔性电子、光电探测、生物电子等领域。
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公开(公告)号：CN108364863B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810010472.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN112530813A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011383320.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/50
Abstract: 本公开涉及一种临时键合方法，属于半导体技术领域，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。一种临时键合方法，包括：在衬底上形成嵌套结构的第一类型子嵌套结构，其中所述嵌套结构包括能够相互嵌套的所述第一类型子嵌套结构和第二类型子嵌套结构；在所述衬底的未形成所述第一类型子嵌套结构的区域中制备各种图形和器件；在所述第一类型子嵌套结构和所述图形和器件上形成保护层；在用于临时键合的载板上形成所述第二类型子嵌套结构；以及将所述第一类型子嵌套结构与所述第二类型子嵌套结构进行嵌套互锁。
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公开(公告)号：CN112466930A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466839A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011327436.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种锗硅‑硅通孔结构及其制备方法，所述TSV结构包括：复合衬底结构，所述复合衬底结构内部设置有上下导通的通孔结构，所述复合衬底结构包括衬底层，所述衬底层顶部设置有多个复合层，所述复合层包括锗硅材料层和硅材料层；沟槽结构；电感结构，所述电感结构设置在所述沟槽结构内壁和所述通孔结构内壁，且所述电感结构将所述沟槽结构内部完全填充；铜互连结构；其中，所述电感结构上分别设置有第一顶部接触层和第一底部接触层，所述铜互连结构上下两端分别连接有第二顶部接触层和第二底部接触层，本发明制备得到的TSV结构不仅可以实现芯片之间的垂直连接，而且具有高电感值的电感结构，提高了TSV结构的性能。
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公开(公告)号：CN112349787A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011155933.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种光电双调制的二维柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的二维柔性神经突触器件包括：涂覆有电极的柔性衬底；阻挡层，电荷俘获层和隧穿层，自下而上依次形成在所述电极上；作为沟道的二维材料，间隔分布在所述隧穿层上；源电极和漏电极，分别形成在所述二维材料上，并与所述隧穿层相接触，其中，所述二维材料的电导值用于模拟神经突触中的权重值，利用电脉冲与光脉冲刺激可实现仿生神经突触特性的模拟。通过将二维材料优异的光电响应特性、机械柔韧性与柔性神经突触器件相结合，从而实现灵活的光电双模式调节。
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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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公开(公告)号：CN112151496A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010944507.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法。在硅衬底中刻蚀形成通孔，在通孔内部交替沉积屏蔽介质和金属电极，其中电感由多层以S形相连接的金属电极构成；在电感表面依次沉积隔离介质、铜扩散阻挡层和铜籽晶层，并电镀铜金属层，其中铜扩散阻挡层、铜籽晶层和铜金属层构成TSV互连结构，用于连通上下芯片。TSV结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电感的基底，有效增大了电感值。
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公开(公告)号：CN112071974A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010920784.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/317 , H02J7/32 , H02N2/18
Abstract: 本发明提供了一种三维集成系统及制备方法，所述集成系统包括纳米发电机、纳米电容结构、第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；所述方法包括如下步骤：选择刻蚀衬底并在所述刻蚀衬底表面刻蚀出多个硅纳米孔并制备获得纳米电容结构；在所述纳米电容结构表面制备出共用电极的纳米发电机；对所述纳米发电机顶部两侧处理得到第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；在所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构内部进行金属布线，将所述纳米电容结构与所述纳米发电机之间导通连接，以获得最终的集成系统，将压电发电机产生的电能储存在纳米电容结构之中，获得持续稳定的能量输出，而且整个系统尺寸易于微缩，占用面积小。
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