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公开(公告)号：CN114944440B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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公开(公告)号：CN112331773B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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公开(公告)号：CN115295720A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210609947.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种太赫兹铁电神经突触器件及其制备方法。该太赫兹铁电神经突触器件包括：衬底；铪基铁电功能层，形成在所述衬底上，呈长条状；电极，形成在所述长条状铪基铁电功能层的两侧，所述电极包括测试区和接触区，所述接触区与所述铁电功能层相接触，所述接触区呈T型状，且其平顶部的延伸方向与所述铁电功能层的延伸方向垂直，在一侧电极施加太赫兹激励，实现高速电畴极化翻转，获得可控的电导调制状态，用于神经形态计算。
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公开(公告)号：CN115084377A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609168.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的异质结型铁电神经突触器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上；无机铁电功能层，覆盖所述底层电极；有机铁电功能层，覆盖所述无机铁电功能层；顶层电极，形成在所述有机铁电功能层上，利用有机铁电功能层与无机铁电功能层形成异质结，使器件铁电极化增强，扩大突触权重调制区间。
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公开(公告)号：CN115084360A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210608891.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有局域调控特性的铁电多值存储器及其制备方法。本发明的具有局域调控特性的铁电多值存储器包括：衬底；沟道材料，形成在所述衬底上；源电极和漏电极，形成在所述沟道材料两端；铪基铁电材料，覆盖上述器件，作为栅介质层；分离栅电极，四个栅电极相互间隔平行排列在所述栅介质层上且位于所述沟道材料上方，利用电学脉冲作为铁电存储器的激励源，分别在四个栅电极施加电压，获得四个不同的电阻状态“00”、“01”、“10”、“11”，实现基于局域调控特性的多值存储功能。
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公开(公告)号：CN113517285A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110248345.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。
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公开(公告)号：CN109273466A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811023396.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种三维图像传感器及其制备方法。本发明的图像传感器包括：CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；形成在第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器；第一金属互连布线层和第一钝化层；形成在第一金属互连线上、第一钝化层中的第一嵌入式电极。光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；形成在第二SOI晶圆上的光电二极管；第二金属互连布线层和第二钝化层；形成在第二金属互连线上、第二钝化层中的第二嵌入式电极。第一嵌入式电极和第二嵌入式电极相互对应键合。本发明可同时实现高分辨率和高帧率的目标，解决了TSV或微凸块尺寸较大、像素共享的问题，具有像素并行信号处理功能。
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公开(公告)号：CN109148495A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810707931.3
申请日：2018-07-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器的三维封装方法，包括以下步骤：提供图像传感器芯片；在图像传感器芯片上采用后道工序形成金属互连层；形成重新布线层；形成钝化层；形成第一触点柱；提供协处理器芯片；将所述协处理器芯片的衬底进行减薄处理；形成硅通孔并钝化处理；形成第二触点柱；以及将所述第一触点柱和所述第二触点柱对应，使所述图像传感器芯片与所述协处理器芯片相互连接。本发明有效提高了芯片的集成度。同时，芯片间垂直互联，通过重新布线层实现图像传感器和图像处理器之间的通讯，降低了寄生效应。
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公开(公告)号：CN115084364A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609621.4
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法。该太赫兹神经突触忆阻器件包括：衬底；有源区，形成在所述衬底上；两个电极，其为叉指状，包括测试部和指状部，两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧，指状部以一定间隔交错排列在所述有源区上，并且相邻指状部间的间距控制在纳米级；将两个电极分别作为神经突触的突触前端和突触后端，在突触前端施加高频电压信号作为神经突触的激励源，对突触后端的电流信号响应进行采集，从而实现太赫兹神经形态计算功能。
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