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公开(公告)号：CN111211097A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010097522.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的封装模块和封装方法。该封装模块包括一级封装模块，一级封装模块包括：金属导热层，具有一个或多个间隔设置的散热柱和连接散热柱的连接部，连接部和散热柱一体设置，散热柱相对于连接部向第一方向凸起；功率半导体器件，设置在金属导热层的与第一方向相反的一侧表面上；绝缘保护层，包覆在功率半导体器件上，绝缘保护层具有连接孔；以及引脚，穿过连接孔与功率半导体器件电连接。在一级封装模块中既实现了对功率半导体器件的封装、又实现了散热同时还利用穿过连接孔的引脚实现了功率半导体器件的功能输出。该一级封装模块适用于各种结构的功率半导体器件的封装，可以简化功率半导体器件的封装工艺、降低成本。
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公开(公告)号：CN111180405A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811340375.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/00 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/48 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111180338A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010103077.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。
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公开(公告)号：CN111162015A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911330697.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H05K1/18 , H05K3/32
Abstract: 本申请涉及一种智能功率模块及封装方法，所述方法包括：提供基板，并在所述基板中的金属层上方配置焊接材料；提供电子元器件，将所述电子元器件固定于所述焊接材料处，以实现机械连接以及电性连接；提供导电弹性组件，将所述导电弹性组件的一端与所述电子元器件对接；提供电路板，安装所述电路板以使所述电路板中的连接点与所述导电弹性组件的另一端对接。
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公开(公告)号：CN111106043A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911337436.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN110828388A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810910248.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110783189A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910901032.1
申请日：2019-09-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法，该芯片沟槽的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，所述侧墙形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。利用本发明的制备方法能够解决现有技术中利用光刻技术制备沟槽时由于曝光显影精度限制造成的无法减少沟槽尺寸的问题，达到减小沟槽尺寸的目的。
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公开(公告)号：CN107482050B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710713690.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施方式涉及一种功率器件终端结构及其制造方法，所述功率器件终端结构包括：衬底、设置于所述衬底上的外延层、结终端扩展区。结终端扩展区位于所述外延层中，衬底和外延层具有第一传导类型的半导体材料，结终端扩展区具有第二传导类型的半导体材料。本发明实施例通过将终端结构的结终端扩展区的第一表面和第二表面均设置成阶梯状，且阶梯均从靠近主结的一端到远离主结的一端呈下降趋势，使第一表面和第二表面间的距离，从靠近主结的一端到远离主结的一端呈递减趋势。从而可以实现从主结到终端结构的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN110534556A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910668260.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/266 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
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