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公开(公告)号：CN106571395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610942673.8
申请日：2016-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和截止环的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的截止环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各截止环时，为避免各截止环相互连接时需要在各截止环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。
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公开(公告)号：CN107482050B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710713690.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施方式涉及一种功率器件终端结构及其制造方法，所述功率器件终端结构包括：衬底、设置于所述衬底上的外延层、结终端扩展区。结终端扩展区位于所述外延层中，衬底和外延层具有第一传导类型的半导体材料，结终端扩展区具有第二传导类型的半导体材料。本发明实施例通过将终端结构的结终端扩展区的第一表面和第二表面均设置成阶梯状，且阶梯均从靠近主结的一端到远离主结的一端呈下降趋势，使第一表面和第二表面间的距离，从靠近主结的一端到远离主结的一端呈递减趋势。从而可以实现从主结到终端结构的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN107482050A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710713690.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施方式涉及一种功率器件终端结构及其制造方法，所述功率器件终端结构包括：衬底、设置于所述衬底上的外延层、结终端扩展区。结终端扩展区位于所述外延层中，衬底和外延层具有第一传导类型的半导体材料，结终端扩展区具有第二传导类型的半导体材料。本发明实施例通过将终端结构的结终端扩展区的第一表面和第二表面均设置成阶梯状，且阶梯均从靠近主结的一端到远离主结的一端呈下降趋势，使第一表面和第二表面间的距离，从靠近主结的一端到远离主结的一端呈递减趋势。从而可以实现从主结到终端结构的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力。
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