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公开(公告)号：CN112510006A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910872960.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块、封装结构及其焊接方法，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本发明采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大接触面积，从而增强电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112444717A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910806773.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供了一种塑封料与芯片匹配度的验证方法，包括：在引线框架的设置面上设置凸起隔板，凸起隔板将设置面分隔出至少两个隔离区；在至少两个隔离区的每个隔离区上设置一个芯片；采用至少两种不同的塑封料封装至少两个芯片，且至少两种塑封料与至少两个芯片一一对应，每种塑封料封装对应的芯片，凸起隔板将不同的塑封料隔开；采用高温反偏的方式测试每个芯片与该芯片对应的塑封料之间的匹配度。通过在引线框架的设置面上设置至少两个芯片，采用不同的塑封料塑封每个芯片，设置面上的凸起隔板将不同的塑封料分隔开，在一个引线框架上验证多种塑封料与芯片之间的匹配度，提高不同种塑封料与芯片之间匹配度的验证效率，便于快速找到合适的塑封料。
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公开(公告)号：CN112397380A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910760390.5
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件及其制作工艺。功率半导体器件的制作工艺包括以下步骤：在衬底的正面沉积一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作；对所述衬底的背面进行刻蚀，刻蚀穿整个衬底，直至外延层，形成引线孔；在所述引线孔里填充金属并在所述衬底背面垫积形成背面金属层，并退火合金，将所述外延层通过金属引线到背面金属层。本工艺不需对衬底进行减薄，而是采用引线孔技术，将背面电极引出。在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。
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公开(公告)号：CN112289859A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668737.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110364503B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463270A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010209456.4
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。通过本发明能够增加并联FRD的电路恢复通路，形成一种IGBT新型背面电极设计的分布式RC-IGBT结构，有效改善RC-IGBT的导通压降，使得恢复电流的通路最短，有效地降低了损耗。
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公开(公告)号：CN111354695A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN111326481A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010192457.2
申请日：2020-03-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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公开(公告)号：CN111261720A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811471453.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。
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