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公开(公告)号：CN114388385B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN117423626A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302533.0
申请日：2023-10-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆加工方法和晶圆，所述晶圆加工方法包括在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；本发明实施例通过增加晶圆衬底的隔离保护层和应力调整层，可以增强加工时晶圆抗翘曲强度，优化晶圆翘曲，且不对原晶圆产生影响，保证晶圆的生产质量。
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公开(公告)号：CN114388385A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN113740693A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988238.X
申请日：2021-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN111463270A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010209456.4
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。通过本发明能够增加并联FRD的电路恢复通路，形成一种IGBT新型背面电极设计的分布式RC-IGBT结构，有效改善RC-IGBT的导通压降，使得恢复电流的通路最短，有效地降低了损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117672814A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311548736.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供了一种钝化层的生长方法以及绝缘栅双极晶体管晶圆。在设置有正面金属层的晶圆表面基于钝化层设计投射紫外线；将光敏聚酰亚胺印刷至所述晶圆表面投射有紫外线处；所述光敏聚酰亚胺在紫外线投射下固化成型，形成满足钝化层设计的钝化层。可以按照芯片设计要求精准地在晶圆表面所需位置精准地配置钝化层，且厚度可控，使得制备得到的钝化层均匀度高，且可以省去刻蚀工序，避免刻蚀工序对晶圆表面可能带来的不良影响。
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公开(公告)号：CN113764293A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110989720.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取到待上芯的目标晶圆和目标晶圆的晶圆图，其中，晶圆图包括有目标晶圆中的芯片的标志；根据晶圆图中的特殊芯片标志和/或边缘芯片标志将目标晶圆和晶圆图对齐；在对齐目标晶圆和晶圆图后，根据晶圆图中的良品芯片标志封装目标晶圆中的良品芯片。本发明解决了晶圆上芯准确度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113690195A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111088688.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L21/48 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，提供了一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法，该所述框架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有安装部，安装部的第三表面与待安装件连接，第一表面和第三表面之间存在第一方向上的间距，且安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距。本发明提供了一种通过第一表面和第三表面之间在第一方向上间距的设置，限制焊料的位置，将待安装件安装于第三表面时多余的焊料会朝向远离待安装件的侧边运动，通过安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距，使得待安装件安装后其周侧不会与其他部件相接触，改善了在框架上安装待安装件时发生的爬胶和溢胶的现象，提高器件封装良率。
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公开(公告)号：CN112185803A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910589464.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体芯片技术领域，特别涉及一种功率器件衬底背面处理方法及功率器件制备方法。包括：对衬底的背面进行减薄处理；在衬底的背面形成金属层；在金属层上淀积形成钨结构层。上述衬底背面处理方法采用具有强覆盖力的钨淀积在衬底背面，有效改善了衬底背面的不平整结构，方便功率器件的封装贴片；并且，钨材料具有导电性优良、化学性质稳定、耐热性强和膨胀系数小的特点，在实现基本的导电功能同时能够降低衬底氧化风险，保证衬底结构不易变形，进一步提高封装良率。
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公开(公告)号：CN110970375A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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