公开(公告)号：CN104425470A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410419670.7

申请日：2014-08-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格尔 ,  E·富尔古特 ,  G·贝尔 ,  O·霍尔菲尔德

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L27/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 半导体模块包括载件，布置在载件上的多个半导体晶体管芯片，布置在载件上的多个半导体二极管芯片，布置在半导体晶体管芯片和半导体二极管芯片之上的封装层，以及布置在封装层之上的金属化层。金属化层包括在半导体晶体管芯片和半导体二极管芯片的选定一个之间形成电连接的多个金属区域。

公开(公告)号：CN104418291B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410425943.9

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I·埃舍尔-珀佩尔 ,  E·富尔古特 ,  A·德厄

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/021 ,  H04R1/086 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H04R2201/02 ,  H04R2231/003

Abstract: 本发明提供了一种封装的MEMS器件，其可以包括：嵌入装置；设置在嵌入装置中的MEMS器件；设置在嵌入装置中并且声学耦合至MEMS器件的声音端口；以及位于声音端口中的格栅。本发明的一些实施例涉及一种声音换能器部件，其包括：嵌入材料；以及和嵌入至嵌入材料中的衬底剥离型MEMS裸片。MEMS裸片可以包括用于声音换能的膜片。声音换能器部件可以进一步包括，位于嵌入材料内并且与膜片流体接触或声学接触的声音端口。其它实施例涉及一种用于封装MEMS器件的方法，或者涉及一种用于制造声音换能器部件的方法。

公开(公告)号：CN106653619A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610966185.0

申请日：2016-10-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  G·伯尼希 ,  I·埃舍尔-珀佩尔 ,  E·富尔古特 ,  M·格鲁贝尔 ,  T·迈尔

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。为了制造功率半导体模块，将电路载体(2)与半导体芯片(1)和导电的接触元件(3)装配。在装配之后将半导体芯片(1)和接触元件(3)嵌入到介电的填料(4)中，并且使接触元件(3)暴露。此外产生导电的基层(5)，所述基层与暴露的接触元件(3)电接触，并且所述基层位于填料(4)和暴露的接触元件(3)上。借助于导电的连接层(6)将预制的金属箔(7)施加到基层(5)上。

公开(公告)号：CN104418292B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410425970.6

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·富尔古特 ,  H·托伊斯

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/091 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  H01L2224/16225

Abstract: 一种MEMS器件，包括第一芯片和MEMS芯片。第一芯片具有安装表面，并且包括至少一个集成电路。MEMS芯片具有主表面，在其上布置有用于接触MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触第一芯片的第二组接触焊盘。第一芯片经由面向主表面的安装表面被机械地附接且电连接到第二组接触焊盘。第一芯片的安装表面比MEMS芯片的主表面的小至少25％。

公开(公告)号：CN106653619B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201610966185.0

申请日：2016-10-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  G·伯尼希 ,  I·埃舍尔-珀佩尔 ,  E·富尔古特 ,  M·格鲁贝尔 ,  T·迈尔

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。为了制造功率半导体模块，将电路载体(2)与半导体芯片(1)和导电的接触元件(3)装配。在装配之后将半导体芯片(1)和接触元件(3)嵌入到介电的填料(4)中，并且使接触元件(3)暴露。此外产生导电的基层(5)，所述基层与暴露的接触元件(3)电接触，并且所述基层位于填料(4)和暴露的接触元件(3)上。借助于导电的连接层(6)将预制的金属箔(7)施加到基层(5)上。

公开(公告)号：CN104576551B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201410542356.8

申请日：2014-10-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·富尔古特 ,  M·门格尔

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，在该方法中将电子芯片(100)与载体(102)耦合，通过封装结构(200)至少部分地封装电子芯片(100)和部分地封装载体(102)，该封装结构具有间断(300)，通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖间断(300)和连接到该间断的体积的至少一部分，该体积邻接载体(102)的裸露的表面部分(302)，该热接口结构相对于外部环境电解耦载体(102)的至少一部分。

公开(公告)号：CN104576333B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410555052.5

申请日：2014-10-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  E·富尔古特 ,  H·埃德

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成减薄的经封装的芯片结构的方法，其中方法包括：提供设置在电子芯片内的分隔结构，由封装结构封装电子芯片的一部分，以及选择性地减薄由封装结构部分地封装的电子芯片，以使得封装结构保持具有比减薄的电子芯片更大的厚度，其中分隔结构用作减薄停止层。

公开(公告)号：CN104576551A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410542356.8

申请日：2014-10-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·富尔古特 ,  M·门格尔

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，在该方法中将电子芯片(100)与载体(102)耦合，通过封装结构(200)至少部分地封装电子芯片(100)和部分地封装载体(102)，该封装结构具有间断(300)，通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖间断(300)和连接到该间断的体积的至少一部分，该体积邻接载体(102)的裸露的表面部分(302)，该热接口结构相对于外部环境电解耦载体(102)的至少一部分。

公开(公告)号：CN104134607A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183496.0

申请日：2014-04-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·富尔古特 ,  I·埃舍尔-珀佩尔 ,  M·恩格尔哈特 ,  H-J·蒂默 ,  H·埃德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L22/24 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/784 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种处理多个封装的电子芯片的方法，该多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，其中该方法包括：蚀刻电子芯片；检测指示在指示器结构的暴露之后的、指示器结构的至少部分去除的信息，指示器结构被嵌入在电子芯片的至少一部分内并且在蚀刻已经去除在指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；并且在检测到指示指示器结构的至少部分去除的信息之后调整处理。

公开(公告)号：CN104103606A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410143414.X

申请日：2014-04-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·莱度特克 ,  E·富尔古特

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67336 ,  H01L22/10 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例涉及具有多个芯片和芯片载体的布局以及处理布局。在各种实施例中，提供布局。该布局可以包括多个芯片；承载所述多个芯片的芯片载体，所述芯片载体包括芯片载体凹口；以及包封材料，包封所述芯片载体并填充所述芯片载体凹口；其中所述包封材料的外周没有凹陷。