公开(公告)号：CN104103606B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410143414.X

申请日：2014-04-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·莱度特克 ,  E·富尔古特

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67336 ,  H01L22/10 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例涉及具有多个芯片和芯片载体的布局以及处理布局。在各种实施例中，提供布局。该布局可以包括多个芯片；承载所述多个芯片的芯片载体，所述芯片载体包括芯片载体凹口；以及包封材料，包封所述芯片载体并填充所述芯片载体凹口；其中所述包封材料的外周没有凹陷。

公开(公告)号：CN103972170A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043965.9

申请日：2014-01-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·科租比 ,  M·莱度特克

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种方法，包括将增强晶片应用于半导体晶片，由此形成复合晶片。该方法还包括分割复合晶片，由此生成多个复合芯片，每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片。

公开(公告)号：CN103972170B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410043965.9

申请日：2014-01-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·科租比 ,  M·莱度特克

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种方法，包括将增强晶片应用于半导体晶片，由此形成复合晶片。该方法还包括分割复合晶片，由此生成多个复合芯片，每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片。

公开(公告)号：CN104103606A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410143414.X

申请日：2014-04-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·莱度特克 ,  E·富尔古特

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67336 ,  H01L22/10 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例涉及具有多个芯片和芯片载体的布局以及处理布局。在各种实施例中，提供布局。该布局可以包括多个芯片；承载所述多个芯片的芯片载体，所述芯片载体包括芯片载体凹口；以及包封材料，包封所述芯片载体并填充所述芯片载体凹口；其中所述包封材料的外周没有凹陷。