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公开(公告)号：CN110323185B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910241938.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体封装系统包括半导体封装和盖状物。半导体封装包括管芯焊盘，安装或布置到管芯焊盘的第一主面的芯片以及包封芯片和管芯焊盘的包封体。盖状物至少部分地覆盖管芯焊盘的暴露的第二主面。盖状物包括具有电绝缘导热材料的盖状物主体和紧固系统，紧固系统将盖状物紧固到半导体封装上。紧固系统从盖状物主体朝向包封体延伸或沿着半导体封装的侧表面延伸。
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公开(公告)号：CN111952272A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411001.0
申请日：2020-05-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体封装。所述半导体封装可以包括：包括被配置为传导电流的接触焊盘的至少一个半导体芯片；导体元件，其中，所述导体元件被布置为与所述接触焊盘横向重叠并且与所述接触焊盘存在距离；至少一个导电间隔体；被配置为使所述至少一个导电间隔体与所述接触焊盘电及机械连接的第一粘合系统；以及被配置为使所述至少一个导电间隔体与所述导体元件电及机械连接的第二粘合系统；其中，所述导体元件导电连接至夹，是夹的部分，导电连接至引线框架或者是引线框架的部分；并且其中，所述间隔体被配置为使所述接触焊盘与所述导体元件的横向重叠部分导电连接。
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公开(公告)号：CN104418291A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410425943.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R1/021 , H04R1/086 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003 , H04R2201/02 , H04R2231/003
Abstract: 本发明提供了一种封装的MEMS器件，其可以包括：嵌入装置；设置在嵌入装置中的MEMS器件；设置在嵌入装置中并且声学耦合至MEMS器件的声音端口；以及位于声音端口中的格栅。本发明的一些实施例涉及一种声音换能器部件，其包括：嵌入材料；以及和嵌入至嵌入材料中的衬底剥离型MEMS裸片。MEMS裸片可以包括用于声音换能的膜片。声音换能器部件可以进一步包括，位于嵌入材料内并且与膜片流体接触或声学接触的声音端口。其它实施例涉及一种用于封装MEMS器件的方法，或者涉及一种用于制造声音换能器部件的方法。
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公开(公告)号：CN112053958B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010510825.3
申请日：2020-06-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种半导体倒装芯片封装(10)，其包括：衬底(11)，所述衬底(11)包括第一主面、与第一主面相对的第二主面以及设置在第一主面上的一个或多个导电结构(11.1)；一个或多个柱(12)，所述一个或多个柱(12)设置在导电结构(11.1)中的至少一个上；半导体管芯13，所述半导体管芯13在其主面上包括一个或多个接触焊盘(13.1)，其中，半导体管芯(13)连接到衬底(11)，使得接触焊盘(13.1)中的至少一个与柱(12)中的一个连接；以及包封物14，所述包封物14设置在衬底(11)和半导体管芯(13)上。
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公开(公告)号：CN104418291B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410425943.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R1/021 , H04R1/086 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003 , H04R2201/02 , H04R2231/003
Abstract: 本发明提供了一种封装的MEMS器件，其可以包括：嵌入装置；设置在嵌入装置中的MEMS器件；设置在嵌入装置中并且声学耦合至MEMS器件的声音端口；以及位于声音端口中的格栅。本发明的一些实施例涉及一种声音换能器部件，其包括：嵌入材料；以及和嵌入至嵌入材料中的衬底剥离型MEMS裸片。MEMS裸片可以包括用于声音换能的膜片。声音换能器部件可以进一步包括，位于嵌入材料内并且与膜片流体接触或声学接触的声音端口。其它实施例涉及一种用于封装MEMS器件的方法，或者涉及一种用于制造声音换能器部件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653619A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610966185.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。为了制造功率半导体模块，将电路载体(2)与半导体芯片(1)和导电的接触元件(3)装配。在装配之后将半导体芯片(1)和接触元件(3)嵌入到介电的填料(4)中，并且使接触元件(3)暴露。此外产生导电的基层(5)，所述基层与暴露的接触元件(3)电接触，并且所述基层位于填料(4)和暴露的接触元件(3)上。借助于导电的连接层(6)将预制的金属箔(7)施加到基层(5)上。
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公开(公告)号：CN106653619B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610966185.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。为了制造功率半导体模块，将电路载体(2)与半导体芯片(1)和导电的接触元件(3)装配。在装配之后将半导体芯片(1)和接触元件(3)嵌入到介电的填料(4)中，并且使接触元件(3)暴露。此外产生导电的基层(5)，所述基层与暴露的接触元件(3)电接触，并且所述基层位于填料(4)和暴露的接触元件(3)上。借助于导电的连接层(6)将预制的金属箔(7)施加到基层(5)上。
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公开(公告)号：CN104134607A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410183496.0
申请日：2014-04-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L22/24 , H01L21/568 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/784 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L22/30 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/94 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种处理多个封装的电子芯片的方法，该多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，其中该方法包括：蚀刻电子芯片；检测指示在指示器结构的暴露之后的、指示器结构的至少部分去除的信息，指示器结构被嵌入在电子芯片的至少一部分内并且在蚀刻已经去除在指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；并且在检测到指示指示器结构的至少部分去除的信息之后调整处理。
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公开(公告)号：CN113533931A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110400213.3
申请日：2021-04-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本公开的各实施例涉及预测性芯片维护。本公开描述了用于通过包括附加触点(即，端子)和功能触点来检测包括集成电路(IC)的电路的现场故障或性能退化的技术，功能触点被用于将电路连接到系统，电路是系统的一部分。这些附加触点可以被用于测量随时间动态变化的电特性，例如，电压、电流、温度和阻抗。当电路在现场执行时，这些电特性可以表示某个故障模式并且可以是电路健康状态(SOH)的指示器。
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公开(公告)号：CN110648983A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910569814.X
申请日：2019-06-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种散热器件(100)，其包括：包括第一材料并且具有表面部分(108)的第一部分(104)；以及处于所述表面部分上的第二部分(110)，所述第二部分包括第二材料；所述第二部分(110)具有孔隙度。
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