公开(公告)号：CN106816407A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611065064.5

申请日：2016-11-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I·莫德 ,  J·鲍姆加特尔 ,  M·恩格尔哈特 ,  O·赫尔蒙德 ,  I·穆里 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76267 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/76297

Abstract: 本发明涉及具有掩埋隔离层的衬底及其形成方法。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一横向外延过生长区域中形成开口以暴露在开口内的半导体衬底的表面。该方法还包括在开口内的半导体衬底的暴露的表面处形成绝缘层以及使用横向外延生长工艺，使用第二半导体材料填充开口以形成第二横向外延过生长区域。

公开(公告)号：CN105895504A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610080704.3

申请日：2016-02-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76227 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02271

Abstract: 本发明涉及具有反锥形的介电结构及其形成方法。一种用于形成介电结构的方法，包括在衬底之上形成辅助层，以及在辅助层内形成孔。填充材料被沉积到孔中。去除辅助层以形成具有反锥形的介电结构。介电结构的顶部关键尺寸大于底部关键尺寸。

公开(公告)号：CN104071743B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410117424.6

申请日：2014-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  M·扎加

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0051 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括执行时间多路复用蚀刻处理的步骤，其中时间多路复用蚀刻处理中最后的蚀刻步骤具有第一持续时间。在执行该时间多路复用蚀刻处理之后，执行具有第二持续时间的蚀刻步骤，其中第二持续时间大于第一持续时间。

公开(公告)号：CN104576333B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410555052.5

申请日：2014-10-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  E·富尔古特 ,  H·埃德

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成减薄的经封装的芯片结构的方法，其中方法包括：提供设置在电子芯片内的分隔结构，由封装结构封装电子芯片的一部分，以及选择性地减薄由封装结构部分地封装的电子芯片，以使得封装结构保持具有比减薄的电子芯片更大的厚度，其中分隔结构用作减薄停止层。

公开(公告)号：CN104134607A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183496.0

申请日：2014-04-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·富尔古特 ,  I·埃舍尔-珀佩尔 ,  M·恩格尔哈特 ,  H-J·蒂默 ,  H·埃德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L22/24 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/784 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种处理多个封装的电子芯片的方法，该多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，其中该方法包括：蚀刻电子芯片；检测指示在指示器结构的暴露之后的、指示器结构的至少部分去除的信息，指示器结构被嵌入在电子芯片的至少一部分内并且在蚀刻已经去除在指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；并且在检测到指示指示器结构的至少部分去除的信息之后调整处理。

公开(公告)号：CN103077878A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210529849.9

申请日：2012-10-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32348 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明公开了用于处理载体的设备和用于处理载体的方法。各种实施例提供用于处理载体的设备，所述设备包括：被配置成接收载体的载体接收部分，所述载体包括一个或多个平坦区域和一个或多个边缘区域；处理部分，其包括：第一电极；第二电极，其中第二电极与第一电极分开；以及形成在第一电极和第二电极之间的介电材料；以及其中第一电极被配置成接收第一电位并且第二电极被配置成接收第二电位以激活第一电极和第二电极之间的供应的气体；其中第一电极和第二电极被布置成与导向载体的一个或多个平坦区域相比，将更多的供应的激活气体导向一个或多个边缘区域。

公开(公告)号：CN106409642A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610608823.1

申请日：2016-07-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32284 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67115 ,  H01J2237/334

Abstract: 本公开涉及等离子体系统及使用该系统进行处理的方法。其中等离子体系统包括等离子体室，其包括室壁，具有设置在室壁内的第一焦线和第二焦线。第一天线在第一焦线处设置在等离子体室内。室壁被配置为将来自第一天线的辐射聚焦到第二焦线上。

公开(公告)号：CN106169444A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610339357.1

申请日：2016-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  G·埃伦特劳特 ,  M·勒斯纳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及分段式边缘保护屏蔽件。分段式边缘保护屏蔽件用于等离子体切割晶圆。该分段式边缘保护屏蔽件包括外结构和多个等离子体屏蔽边缘区段。外结构限定被配置为与晶圆的圆周边缘对应的内环形边缘。多个等离子体屏蔽边缘区段中的每一个都通过内边缘和侧边缘来限定。内边缘在外结构的环形边缘内并与环形边缘同心。侧边缘在内边缘和环形边缘之间延伸。

公开(公告)号：CN103077878B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210529849.9

申请日：2012-10-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32348 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明公开了用于处理载体的设备和用于处理载体的方法。各种实施例提供用于处理载体的设备，所述设备包括：被配置成接收载体的载体接收部分，所述载体包括一个或多个平坦区域和一个或多个边缘区域；处理部分，其包括：第一电极；第二电极，其中第二电极与第一电极分开；以及形成在第一电极和第二电极之间的介电材料；以及其中第一电极被配置成接收第一电位并且第二电极被配置成接收第二电位以激活第一电极和第二电极之间的供应的气体；其中第一电极和第二电极被布置成与导向载体的一个或多个平坦区域相比，将更多的供应的激活气体导向一个或多个边缘区域。

公开(公告)号：CN104952794A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510130021.X

申请日：2015-03-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·勒斯纳 ,  M·恩格尔哈特 ,  J·施米德 ,  G·斯特兰茨尔 ,  J·希尔施勒

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 依照本发明的实施例，一种形成半导体器件的方法包括使用粘合部件将衬底附接至载体，并且穿过该衬底形成贯穿沟槽以暴露该粘合部件。该粘合部件的至少一部分被蚀刻，并且金属层被形成在该贯穿沟槽的侧壁之上。