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公开(公告)号：CN108117035A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710511666.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0051 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , B81C2203/0792
Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。
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公开(公告)号：CN104627948B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410637249.3
申请日：2014-11-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B3/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00285 , B81C2203/0792 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器设备以及相应的制造方法。所述微机械传感器设备包括：具有前侧(VS)和背侧(RS)的CMOS晶片(1)、在所述CMOS晶片(1)的前侧(VS)上构造的具有多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)的再布线装置(1a)、具有前侧(V10)和背侧(R10)的MEMS晶片(10)、在所述MEMS晶片(1)的前侧(VS)上构造的微机械传感器装置(MS)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的键合连接(B)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的腔(KV)以及施加在多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)中的至少一个上的暴露的吸气剂层区域(G1；G1’)，所述传感器装置(MS)密封地包围在所述腔中。
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公开(公告)号：CN103253627B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310059343.0
申请日：2013-02-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
CPC classification number: B81B7/0045 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00325 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。
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公开(公告)号：CN107055459A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710024010.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2203/01 , B81B2203/03
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。
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公开(公告)号：CN103915422B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310105508.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2207/017 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105452153B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480036001.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0029 , B81C1/00238 , B81C1/00349 , H01L21/02126 , H01L25/0657 , H01L2224/81801 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461
Abstract: 在标准ASIC晶片顶部金属层中形成一个或多个导电屏蔽板，例如，用于阻止来自MEMS晶片上MEMS器件到ASIC晶片上的电路的串扰，在晶片级芯片尺寸封装中当直接使用ASIC晶片加盖MEMS器件时。一般而言，屏蔽板应该比它屏蔽的MEMS器件结构稍大(例如，可移动MEMS结构诸如加速计摆片质量或陀螺仪谐振器)，并且在晶片接合器件或之后屏蔽板不能与MEMS器件结构接触。因此，就形成凹部以确保有足够的远离MEMS器件结构的顶部表面的空腔间隔。屏蔽板式导电的并且可以偏置，例如与对面MEMS器件结构相同的电压以维持MEMS器件结构和遮蔽板之间的零静电吸引力。
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公开(公告)号：CN104303262B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280038081.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
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公开(公告)号：CN103449357B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310174801.5
申请日：2013-05-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0075 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00674 , B81C2203/0109 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明涉及用于实现混合集成部件的措施。部件（100）包括ASIC构件（10）、具有微机械结构（21）的第一MEMS构件（20）和第一罩晶片（30），微机械结构在第一MEMS衬底（10）整个厚度上延伸，第一罩晶片装配在微机械结构（21）上方。微机械结构（21）具有可偏转的结构元件（23）。在微机械结构（21）和构件（10）之间存在间隙。在构件（10）背侧装配第二MEMS构件（40）。第二构件（40）的微机械结构（41）在第二MEMS衬底（40）的整个厚度上延伸并且包括可偏转的结构元件。在该微机械结构（41）和构件（10）之间存在间隙并且在该微机械结构（41）上方装配第二罩晶片（50）。
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公开(公告)号：CN106335869A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610085669.4
申请日：2016-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00976 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81C1/00015
Abstract: 本发明提供了CMOS-MEMS器件结构。CMOS-MEMS器件结构包括感测衬底和CMOS衬底。感测衬底包括接合台面结构。CMOS衬底包括顶部介电层。感测衬底和CMOS衬底通过接合台面结构接合，并且接合台面结构限定CMOS衬底和感测衬底之间的接合间隙。本发明提供了一种用于接合第一半导体结构和第二半导体结构的接合台面结构。此外，本发明还提供了一种制造CMOS-MEMS器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106241726A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20 , B81B7/0032 , B81B3/00 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C3/00 , B81C2201/01 , B81C2203/01
Abstract: 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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