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公开(公告)号：CN111566520B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201980007141.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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公开(公告)号：CN112400132A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
Abstract: 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
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公开(公告)号：CN108475611B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110945431A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048752.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/74 , H01L21/027
Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
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公开(公告)号：CN108475611A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/221 , C23C14/48 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/02274
Abstract: 本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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公开(公告)号：CN102934195B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN103620730A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
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公开(公告)号：CN101371328A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
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