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公开(公告)号：CN118185317A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410364807.7
申请日：2024-03-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开一种存储器隔热材料用疏水防掉粉增强薄膜及其制备方法，属于疏水材料技术领域。所述疏水防掉粉增强薄膜的原料组分由粒径为30‑45纳米的纳米SiO2粉末、2.5‑3.5微米的TiO2、氧化铝粉末、聚二甲基硅氧烷和改性硅酸钠溶液组成。本发明存储器用隔热材料疏水防掉粉增强薄膜不仅可以有效将隔热材料与外界水分隔开，还可以避免隔热层因震动产生的漏粉现象，提高隔热材料的抗压、抗衰强度，具有良好的安全稳定性和防护性能，增加了存储器盒的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113024128B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110344316.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。
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公开(公告)号：CN112619669B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011513113.3
申请日：2020-12-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/043 , B01J37/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
Abstract: 一种镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉高性能分解水产氢光催化剂及制备方法，本发明的镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉光催化剂由氧化锌，硝酸，柠檬酸，四水硝酸镉，乙酸镍，硫脲制成。方法：使用一定量的蒸馏水和浓硝酸溶解氧化锌，加入乙酸镍、柠檬酸并溶解，放入60℃烘箱干燥，形成白色凝胶，在马弗炉中500℃保温半小时，得到纳米级掺杂镍氧化锌；将硫脲、硝酸镉溶解于蒸馏水，加入掺杂镍纳米氧化锌后放入80℃水浴锅边搅拌边加热180分钟，取烧杯底部粉末经洗涤烘干放入450℃氩气中退火90分钟，得到镍离子掺杂的氧化锌/硫化镉复合光催化剂。
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公开(公告)号：CN112382513B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011064878.3
申请日：2020-10-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01G11/84 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/46 , H01G11/62 , H01M4/26 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/28
Abstract: 本发明公开了一种双离子水系储能器件的制备方法。(1)将金属铜片经过清洗等预处理，通过一定条件的阳极氧化，在管式炉中高温烧结，得到CuO纳米阵列电极；(2)将商用碳布经过清洗等预处理，通过一定条件的电化学沉积、碳包覆和高温碳化，得到VC/V2O3/C纳米复合电极；(3)将上述两种电极通过隔膜分开，在KOH电解液中，组装成水系储能器件，这种储能器件具有独特的双离子储能特性，即CuO与OH‑氧化还原反应，VC/V2O3/C与K+氧化还原反应。因此，本发明使用制备简单的方法，发明了一种双离子水系储能器件，其优异的电化学性能，在电化学储能器件中是很有应用前景的。
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公开(公告)号：CN113097321A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110345225.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066670A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344262.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法，包括以下步骤：(1)首先采用阳极氧化法在W箔上制备多孔WO3薄膜。(2)以四氯化锡和硫粉为原料，采用气相沉积法，使用双温控管式炉进行反应，在步骤(1)所制备的多孔WO3薄膜表面气相沉积SnS2纳米片阵列，获得SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极。本发明方法制得到的SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极具有较高的光催化分解水活性和稳定性。为采用气相沉积法制备性能更好的SnS2纳米片异质结光阳极并改进光催化分解水性能提供了一种有效方法。
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公开(公告)号：CN113024128A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110344316.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。
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公开(公告)号：CN112864260A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911190847.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件，包括H‑TiO2纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO2纳米管阵列层上的SnSe2纳米层。还提供了上述SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列；(2)将不定型TiOx纳米管阵列进行退火处理，得到TiO2纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl4·5H2O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO2纳米管阵列表面沉积SnSe2纳米层，沉积SnSe2纳米层时同时通入氢气，将TiO2氢化为H‑TiO2，即得到SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制备的SnSe2/H‑TiO2异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN112164597A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011039129.5
申请日：2020-09-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明涉及电池领域，具体而言，涉及氧化铜纳米阵列电极、氧化铜纳米阵列的非固态水系柔性储能器件及其制备方法；氧化铜纳米阵列电极的制备方法，包括利用金属基底和碱性溶液，通过直流稳定电源阳极氧化法制得金属氢氧化物电极。本发明的制备方法通过直接阳极氧化法在金属基底制备出纳米阵列，能够有效地提高材料的比表面积，并且不需要电极的二次制备和添加一定比例的粘结剂，这可有效地降低电极的内阻；制备方法操作简单，且得到的氧化铜纳米阵列电极既满足水系储能器件优异的电化学性能，又满足固态柔性超级电容器便携性和可穿戴性。
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公开(公告)号：CN107230551B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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