公开(公告)号：CN113097321A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110345225.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN113097320B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202110344916.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN113097321B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110345225.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN113097320A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110344916.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。