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公开(公告)号：CN107117831B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710386655.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , D06M11/48 , C01G41/02 , B82Y40/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107029755B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710246895.0
申请日：2017-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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公开(公告)号：CN107195469B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710385074.5
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物的制备方法。首先通过AgNO3、NH4VO3和吡啶混合溶液水热法合成AgVO3，再在洗涤后的产物中加入1mL C9H23NO3Si，搅拌反应后再加入1mg/mL的氧化石墨烯，水热反应得到石墨烯/AgVO3。通过加入一定量的水合肼还原石墨烯/AgVO3中部分的银离子，得到石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物。石墨烯包裹Ag/AgVO3纳米带复合物明显增强了它们的光催化活性与电容比容量。石墨烯/Ag/AgVO3(含银15％)催化降解甲基橙效率明显AgVO3。与石墨烯包裹AgVO3复合材料的循环伏安曲线相比较，将样品中部分银离子还原后，循环性能较稳定，组装的柔性电容器的比容量更大。
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公开(公告)号：CN107051425A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710258798.3
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: B01J23/30 , B01J21/18 , B01J35/004 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子点/WO3·2H2O超薄纳米片复合光催化剂的制备方法。采用超声法使石墨烯量子点与被剥离的WO3·2H2O超薄纳米片结合，将一定量的WO3·2H2O块状粉末，加入到一定浓度的GQDs溶液中(WO3·2H2O与GQDs的质量比为4:3)，超声3‑5h，高速离心去除上清液(含未与WO3·2H2O结合的石墨烯量子点)，加入适量蒸馏水，再3000r/min离心分离，取上清液，冷冻干燥，得到GQDs/WO3·2H2O纳米片复合光催化剂。该方法工艺条件简单，可操作性强，所制备的石墨烯量子点/WO3·2H2O超薄纳米片复合光催化剂能产生较大的光电流，具有较高的光催化活性。
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公开(公告)号：CN106994355A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710250266.5
申请日：2017-04-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , B82Y30/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/38 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/04 , B01J35/004 , B82Y30/00 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2101/34 , C02F2101/38 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种GQDs/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。采用简单的一步水热法：将石墨烯量子点加入到含有硫源和四氯化锡(硫源与四氯化锡的摩尔比为2.2：1)水溶液中，120～180℃下水热反应一段时间就得到GQDs/SnS2异质结光催化剂。GQDs与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，光生电流密度为是纯SnS2的5倍。异质结光催化降解甲基橙的活性优于SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的GQDs/SnS2超薄纳米片具有很高的光催化及光电化学析氧能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066670A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344262.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法，包括以下步骤：(1)首先采用阳极氧化法在W箔上制备多孔WO3薄膜。(2)以四氯化锡和硫粉为原料，采用气相沉积法，使用双温控管式炉进行反应，在步骤(1)所制备的多孔WO3薄膜表面气相沉积SnS2纳米片阵列，获得SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极。本发明方法制得到的SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极具有较高的光催化分解水活性和稳定性。为采用气相沉积法制备性能更好的SnS2纳米片异质结光阳极并改进光催化分解水性能提供了一种有效方法。
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公开(公告)号：CN107230551B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107117831A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710386655.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , D06M11/48 , C01G41/02 , B82Y40/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107230551A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107029755A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710246895.0
申请日：2017-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/04 , B01J35/004 , B01J37/031 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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