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公开(公告)号：CN112844349B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN111530483B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380226.4
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/188 , B01J35/10 , B01J37/16 , B01J37/28 , B01J37/08 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化镍混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Ni掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的镍掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为镍掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113073355A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110344063.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/55 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，在双温控真空气氛管式炉中在惰性气体保护下进行化学气相沉积，在导电基底材料上沉积二硫化锡纳米片阵列，导电基底/SnS2纳米片阵列；(2)将导电基底/SnS2纳米片阵列放入高温马弗炉中表面氧化反应一段时间后取出，然后在空气中冷却得到表面含有SnO2氧化膜的SnS2纳米片阵列光阳极。本发明方法制得到SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极具有较高的光电催化析氧的活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111530483A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010380226.4
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化镍混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100-220℃的条件下进行溶剂热反应6-12h，再在马弗炉中烧结得到Ni掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的镍掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为镍掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113151858B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110344123.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次
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公开(公告)号：CN111514911B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380130.8
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/188 , B01J35/10 , C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。
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公开(公告)号：CN113151858A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110344123.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112844349A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN113058589A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344179.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂制备方法，包括以下步骤：将一定量的乙醇、六氯化钨进行混合并搅拌，然后加入铈盐搅拌，得到混合溶液，最后将混合溶液移至聚四氟乙烯反应釜中，在150‑240℃的条件下进行溶剂热反应3‑24h，反应结束后进行离心，并用乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干，得到Ce掺杂的W18O49纳米线材料。本发明方法制得到的Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂具有较高的光催化固氮活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111514911A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010380130.8
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。
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