公开(公告)号：CN112864260A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911190847.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  朱睿 ,  吕慧丹 ,  刘威 ,  李时庆 ,  刘文慧

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件，包括H‑TiO2纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO2纳米管阵列层上的SnSe2纳米层。还提供了上述SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列；(2)将不定型TiOx纳米管阵列进行退火处理，得到TiO2纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl4·5H2O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO2纳米管阵列表面沉积SnSe2纳米层，沉积SnSe2纳米层时同时通入氢气，将TiO2氢化为H‑TiO2，即得到SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制备的SnSe2/H‑TiO2异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。

公开(公告)号：CN112844349B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201911191738.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  朱睿 ,  吕慧丹 ,  王子良 ,  陈丹杨 ,  庄杨

IPC: B01J21/06 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。

公开(公告)号：CN112844349A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911191738.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  朱睿 ,  吕慧丹 ,  王子良 ,  陈丹杨 ,  庄杨

IPC: B01J21/06 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。

公开(公告)号：CN112844348A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911191500.7

申请日：2019-11-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  朱睿 ,  林金松 ,  吕慧丹 ,  刘威 ,  刘文慧

IPC: B01J21/06 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明提供了一种具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列；(2)将不定型TiOx纳米管阵列在激光辐照下进行激光刻蚀，得到具有微纳米结构和氧缺陷的TiOx纳米管阵列；(3)将具有微纳米结构和氧缺陷的TiOx纳米管阵列进行退火处理，即得到具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极。本发明方法利用激光刻蚀的方法将TiO2纳米管表面进行处理，增大了TiO2纳米管的有效面积及表面活性位点，且处理后的TiO2纳米管阵列亲水性明显提高，从而减小载流子复合率，增大了光电催化效率。