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公开(公告)号：CN113024128B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110344316.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。
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公开(公告)号：CN113097321A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110345225.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN113066670A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344262.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法，包括以下步骤：(1)首先采用阳极氧化法在W箔上制备多孔WO3薄膜。(2)以四氯化锡和硫粉为原料，采用气相沉积法，使用双温控管式炉进行反应，在步骤(1)所制备的多孔WO3薄膜表面气相沉积SnS2纳米片阵列，获得SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极。本发明方法制得到的SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极具有较高的光催化分解水活性和稳定性。为采用气相沉积法制备性能更好的SnS2纳米片异质结光阳极并改进光催化分解水性能提供了一种有效方法。
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公开(公告)号：CN113024128A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110344316.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。
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公开(公告)号：CN113151858B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110344123.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次
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公开(公告)号：CN111514911B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380130.8
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/188 , B01J35/10 , C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。
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公开(公告)号：CN113097320A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344916.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN111514912B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/075
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113151858A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110344123.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112844349A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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