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公开(公告)号：CN111495399A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100-220℃的条件下进行溶剂热反应6-12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113097321A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110345225.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN110898858B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201911288416.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J31/22 , B01J31/34 , B01J35/00 , C25B1/04 , C25B11/095
Abstract: 本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
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公开(公告)号：CN113097320A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344916.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110918085A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911289926.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法，将有机胺插层WO3·2H2O的杂化物加入瓷舟中，然后放入管式炉中，通入氮气，加热升温，保温反应，反应完后自然冷却至室温，即得到多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂材料。本发明方法制备的多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂由C与多孔的WO3纳米片形成的介孔结构的复合材料，具有良好的光吸收性能和较大的比表面积，在光照下能够高效的转化氮气成硝酸根，具有较好的光催化氧化活性。
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公开(公告)号：CN110898858A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911288416.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2-甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
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公开(公告)号：CN113097320B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110344916.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN113097321B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110345225.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
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公开(公告)号：CN111495399B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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